類型
熱釋電型
由於溫度的變化,熱釋電晶體會出現結構上的電荷中心相對位移,使它們的自發極化強度發生變化,從而在它們的兩端產生異號的束縛電荷。
在光線作用下，對於半導體材料吸收了入射光子能量， 若光子能量大於或等於半導體材料的禁頻寬度， 就激發出電子-空穴對，使載流子濃度增加，半導體的導電性增加，阻值減低，這種現象稱為光電導效應
差別
MCT檢測器與DTGS檢測器的差別
MCT檢測器是由寬頻帶的半導體碲化鎘和半金屬化合物碲化汞混合形成，其組成為Hg1-xCdx Te ，x≈0.2，改變x值，可獲得測量波段不同靈敏度各異的各種MCT檢測器。
MCT檢測器類型屬於光電導型
在光線作用下，對於半導體材料吸收了入射光子能量， 若光子能量大於或等於半導體材料的禁頻寬度， 就激發出電子-空穴對，使載流子濃度增加，半導體的導電性增加，阻值減低，這種現象稱為光電導效應。
MCT檢測器靈敏度至少是DTGS的10倍。
