技術簡介
DDR 200/266/333/400等型號工作頻率分別為：100/133/166/200MHZ 。因為DDR是double傳遞數據，等效的工作頻率為其2倍。
發展過程
DDR SDRAM是在傳統的SDRAM記憶體基礎上發展起來的。通過利用時鐘脈衝信號的上沿和下沿分別進行兩次數據的讀寫操作，實現雙倍傳輸的速度表現，那么DDR SDRAM就在不提 高時鐘頻率的情況下，頻寬就比同頻的SDRAM提高了一倍。
DDR記憶體的封裝上和SDRAM記憶體一樣採用Tsop方式，但是因為運行速度加快，數據流加大，就必須增加Pin腳來保證穩定性和高效傳輸速率，所以DDR記憶體的引腳數從 SDRAM 記憶體的 168線，增加到 184線，同SDRAM記憶體的 3.3v 的工作電壓相比，其工作電壓也僅為2.5v，因而功耗亦隨之減少。
工作原理
DDR SDRAM現在分為PC1600(DDR200)，PC2100(DDR266)兩種，分別運行於100MHz下的和133MHz下，因為DDR是採用雙邊觸發模式工作，所以工作頻率可達到200MHz和266MHz的水平，而傳輸數據的頻寬分別為1.6GB和2.1GB，所以通常也稱作PC1600和PC2100。不久將會有PC2700(DDR333)的出現，它採用新的封裝持技術和更低的電壓,並將製作工藝提升 到0.15微米。未來會有更高的標準－－DDRII，頻寬將達到4G以上。
