基本信息:
電流 - 集電極 (Ic)（最大）：200mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）：40V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA, 500mA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)：100 @ 150mA, 10V
功率 - 最大：800mW
頻率 - 轉換：100MHz
封裝/外殼：TO-39-3, TO-205AD，金屬罐
2N3904
分離式半導體產品，電晶體(BJT) -單路，電晶體類型：NPN
分離式半導體產品，電晶體(BJT) -單路，電晶體類型：NPN
基本信息:
電流 - 集電極 (Ic)（最大）：200mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）：40V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA, 500mA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)：100 @ 150mA, 10V
功率 - 最大：800mW
頻率 - 轉換：100MHz
封裝/外殼：TO-39-3, TO-205AD，金屬罐
