簡介
鉿吸收氫氣的能力很強，最高可形成HfH2.1。高溫下，鉿能與氮發生反應。由於受鑭系收縮的影響，鉿的原子半徑幾乎和鋯相等，因此鉿與鋯的性質極為相似，很難分離，最主要分別是鉿的密度是鋯的雙倍。鉿不與稀鹽酸、稀硫酸和強鹼溶液作用，但可溶於氫氟酸和王水。鉿的氧化態是+2、+3、+4，其中+4價化合物最穩定。
元素符號：Hf
元素英文名稱：Hafnium
體積彈性模量：110 GPa
原子化焓：703 kJ /mol @25℃
熱容：25.73 J /（mol· K）
導熱係數：23.0 W/（m·K）
導電性：0.0312 10^6/(cm ·Ω )
熔化熱：24.060 （千焦/摩爾）
汽化熱:575.0 (千焦/摩爾）
元素在宇宙中的含量：0.0007 (ppm)
相對原子質量：178.5
核內質子數：72
質子質量：1.20456E-25
質子相對質量：72.504
所屬周期：6
所屬族數：IVB
摩爾質量：178
密度：13.2
熔點：2150.0℃
沸點：5400.0℃
外圍電子排布：5d2 6s2
核外電子排布：2,8,18,32,10,2
顏色和狀態：金屬
原子半徑：2.16
常見化合價：+4
發現人：考斯特、海維西
發現時間和地點：1923 丹麥
元素來源：它存在於大多數鋯礦中
元素用途：由於它容易發射電子而很有用處（如用作白熾燈的燈絲）。用作X射線管的陰極，鉿和鎢或鉬的合金用作高壓放電管的電極。
相對原子質量：178.4 常見化合價：+4 電負性：1.3
外圍電子排布：5d2 6s2 核外電子排布：2,8,18,32,10,2
同位素及放射線：Hf-172[1.9y] Hf-174[2.0E15y] Hf-175[70d] Hf-176 Hf-177 Hf-178 Hf-179 *Hf-180
電子親合和能：-61 KJ·mol-1
第一電離能：720 KJ·mol-1 第二電離能：1440 KJ·mol-1 第三電離能：0 KJ·mol-1
單質密度：13.2 g/cm3 單質熔點：2150.0 ℃ 單質沸點：5400.0 ℃
原子半徑：2.16 埃 離子半徑：0.83(+4) 埃 共價半徑：1.44 埃
常見化合物：HfO2
發現人：考斯特、海維西 時間：1923 地點：丹麥
名稱由來：
得名於哥本哈根的拉丁名稱“Hafnia”。
元素描述：
有延展性的銀白色金屬。
元素來源：
取自鋯石或斜鋯石。
元素用途
1.核工業：純鉿熱中子捕獲截面大，具有較強的吸收中子的能力，且可以減慢核子連鎖反應的速率，抑制原子反應的"火焰"，同時，其具有較強的耐高溫抗腐蝕性能，且成型材料具有可塑性強、易加工等特性，因此成為原子能工業的重要材料之一，目前廣泛套用於製造核反應堆的控制棒和保護裝置。
2.航空航天領域：鉿粉燃燒值較高，且可控性較好，可作為高能固態燃料，如火箭的推進器；鉿的合金具有高熔點耐熱燒蝕腐蝕等特性，可用作火箭噴嘴和滑翔式重返大氣層的飛行器等的保護層的製造。
3.電子元器件領域：由於鉿它易發射電子，可用作製造X射線管的陰極、發光白熾燈的燈絲等，廣泛套用於X射線的陰極和鎢絲製造工業。另外，鉿和鎢或鉬的合金可用於製造作高壓放電管的電極。
4.微納米電子：用於最新的Intel45納米處理器。
5.製造工具鋼和電阻材料：Hf-Ta合金可製造工具鋼及電阻材料。在耐熱合金中鉿用作添加元素，例如鎢、鉬、鉭的合金中有的添加鉿。HfC由於硬度和熔點高，可作硬質合金添加劑。4TaC·HfC的熔點約為4215℃，為已知的熔點最高的化合物。
其他
| 總體特性 | |
| 名稱， 符號， 序號 | 鉿、Hf、72 |
| 系列 | 過渡金屬 |
| 族， 周期， 元素分區 | 4族， 6,d |
| 密度、硬度 | 13310 kg/m、5.5 |
| 顏色和外表 | 銀灰色 |
| 地殼含量 | 4×10 % |
| 原子屬性 | |
| 原子量 | 178.49 原子量單位 |
| 原子半徑（計算值） | 155(208)pm |
| 共價半徑 | 150 pm |
| 范德華半徑 | 無數據 |
| 價電子排布 | [氙]4f5d6s |
| 電子在每能級的排布 | 2，8，18，32，10，2 |
| 氧化價（氧化物） | 4（兩性的） |
| 晶體結構 | 六方密排晶格 |
| 物理屬性 | |
| 物質狀態 | 固態 |
| 熔點 | 2506 K(2233 °C） |
| 沸點 | 5127 K(5400 °C） |
| 摩爾體積 | 13.44×10m/mol |
| 汽化熱 | 575 kJ/mol |
| 熔化熱 | 24.06 kJ/mol |
| 蒸氣壓 | 1.12×10 帕(2500K） |
| 聲速 | 3010 m/s(293.15K） |
| 其他性質 | |
| 電負性 | 1.3（鮑林標度） |
| 比熱 | 140 J/(kg·K) |
| 電導率 | 3.12×10/（米歐姆) |
| 熱導率 | 23 W/(m·K) |
| 第一電離能 | 658.5 kJ/mol |
| 第二電離能 | 1440 kJ/mol |
| 最穩定的同位素 | |
| 同位素豐度半衰期衰變模式衰變能量MeV衰變產物172Hf人造1.87年電子捕獲0.350172Lu174Hf0.162 %2×1015年α衰變2.495 170Yb176Hf5.206 %穩定177Hf18.606 %穩定178Hf27.297 %穩定179Hf13.629 %穩定180Hf35.1 %穩定 182Hf人造9×106年β衰變0.373182Ta |
