簡介
黃柏標，男，1962.10齣生，1986年畢業於山東大學晶體材料研究所，獲理學碩士學位，2002年獲理學博士學位。1997年被評為教授、博士生導師、山東大學青年學科帶頭人，2002年被評為山東省十佳傑出青年科學家。山東大學材料學院學術委員會委員。主要社會兼職有：山東電子學會常務理事、光電子專業主任委員，中國有色學會半導體材料學術委員、薄膜半導體學科組組長，中國材料學會青年委員會委員，第一至七屆全國MOCVD會議組織委員。
主要科研經歷
承擔項目薄膜材料製備新技術的研究1988年至1991年國家自然科學大型基金項目，主要承擔者，課題組長。
含Sb化合物MOCVD材料生長1988年至1991年國家“863”計畫，主要承擔者，課題組長。
MOCVD製備AlGaInP可見光雷射器材料與器件研究1991年至1996年，國家“863”計畫，負責人。
四元系紅黃綠高亮度發光LED材料與器件的研究1996年至2000年，國家“863”計畫，負責人。
大、薄、勻砷化鎵光陰極外延材料研究1991年至1995年，國防科工委預研項目，負責人。
半導體發光材料外延及管芯技術1998年至2000年國家計委產業化前期項目，主要負責人之一。
GaAs量子阱紅外探測器及一維陣列研製，1996年至1998年省科委科技攻關項目，主要參加者。
離子注入增強AlGaInP量子阱界面混合及其特性研究, 2001-2002, 國家自然科學基金, 主要參加者。
套用δ摻雜技術和ZnO材料改進高亮度LED視窗層的研究，2000-2002教育部青年骨幹教師基金，負責人。
光波段具有負折射特性的特殊周期介質研究，2005-973項目，負責人
三維光子晶體的製備研究，2004-2006年，國家自然科學基金，負責人
1993年獲光華科學基金個人二等獎。
1995年“MOCVD製備GaAs超晶格量子阱及其異質結器件材料”，省科技進步二等獎，
2003年半導體發光材料外延及器件製造技術，山東省科技進步一等獎
2003年山東省十佳青年科學家
利用δ—摻雜技術減薄高亮度發光二極體晶片視窗層的方法專利號：ZL 00111113.2
發明人黃柏標等
一種用氧化鋅作為高亮度發光二極體晶片視窗層的生長方法專利號ZL 00111112.4
發明人黃柏標等
相關發表論文
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