高純銻

出版時間：2010-1-1 本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。 本標準負責起草單位：峨嵋半導體材料廠。

基本信息

作　者：本社 編著
出 版 社：
出版時間：2010-1-1
版　次：1頁　數：2字　數：6000印刷時間：2010-1-1開　本：大16開紙　張：膠版紙

印　次：1I S B N：GB/T10117-2009包　裝：平裝

內容簡介

本標準代替GB/T 10117—1988《高純銻》。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準負責起草單位：峨嵋半導體材料廠。
本標準主要起草人：王炎、蔣蓉。
本標準所代替標準的歷次版本發布情況為：
——GB/T 10117—1988。