高功率半導體雷射器

研製單位

長春理工大學

項目簡介

高功率半導體雷射器的研製是“八五”、“九五”國防科工委重點項目之一，也是國防十六項關鍵技術中光電技術的關鍵技術。在國內首次實現高功率InGaAs/GaAs量子阱雷射器的運轉，1—3W的雷射器件的工作壽命可達幾千～幾萬小時。高功率半導體雷射器在軍事上套用非常廣泛，主要用於制導、引信、夜視光源、激光雷達、引爆、測距、偵察和識別等等。除了軍用以外，主要用於醫療、加工、通訊、光碟、列印、顯示、計算機等，且每年以20%以上的速度增加。