T1780/LT1781雙RS驅動器/接收器具有單5V電源、低功耗（只有40mW)、±15kV ESD保護（在RS232線端不需要昂貴的TransZorbs）。只用0.1μF外部電容器便可工作在120k
Baud(對於負載RL=3K，CL=2500pF)，250kBaud（對於負載RL=3,CL=1000pF)。
LT1780/LT1781與EIA
RS232標準是完全一致的。它的輸出能承受±30V而不損壞。在關閉或斷電條件下其驅動器和接收器的輸出處於高阻抗態。LT1780/LT1781的套用包括：便攜計算機，電池供電的系統，電源發生器，終端，數據機等。
接收器：
接收器可以更大量採用數字積體電路。當然接收器的數字電路越靠近天線，便越能發揮接收的優勢。因此有人認為可將模擬數字轉換器置於射頻系統的輸出端，以便直接進行射頻取樣。這個設計看似較為可取，但這裡產生另一個問題，我們不得不加以考慮。為了能夠預先抑制不需要的帶外信號，以及滿足模擬數字轉換器所要求的頻率範圍，已接收的信號在輸入模擬數字轉換器之前必須先加以濾波，以及接受自動增益控制。因此很多數字接收器採用折衷的辦法，先由輸出端的第一及第二中頻級將模擬信號轉為數位訊號，使帶外信號還未進入模擬數字轉換器之前先行接受濾波，也確保部分信號在未進入模擬數字轉換器之前先行在模擬級接受自動增益控制，以儘量避免帶內信號過驅動模擬數字轉換器，使信號在進行模擬數字轉換之前可以達到最大的信號增益。此外，我們若採用中頻取樣及數字接收技術，便無需另外加設中頻級如混頻器、濾波器及放大器，有助減低成本，而且系統設計工程師若採用可程式數字濾波器取代固定的模擬濾波器，便可充分發揮設計上的靈活性。器件：
德州儀器(TI)日前宣布推出一款針對N通道互補驅動功率MOSFET的4A高速同步驅動器TPS28225。該款2MHz驅動器簡化了大電流單相與多相套用中的電源設計，如電壓穩壓器模組(VRM)設計、筆記本電腦、帶有二次側同步整流器的隔離式電源以及對效率要求極高的DC/DC轉換器等。TI的TPS28225驅動器以4.5V至8.8V電壓控制MOSFET柵極，從而實現了高效率和低電磁干擾(EMI)，在7V至8V電壓範圍內，每相位電流超過40A時器件效率達到最高。TPS28225實現了14ns自適應停滯時間控制、14ns傳輸延遲時間、2A大電流電源以及4A吸入驅動功能。該驅動器的其他特性還包括低阻抗吸入(典型值為0.4歐姆)與源電流(典型值為1歐姆)功能 ；可接受寬泛的電壓輸入信號範圍(3V至24V範圍)；單引腳上支持Space-saving(輸入)與PowerGood(輸出)信號；獨特的輸入級可與所有業界標準的模擬與數字控制器相兼容；提供針對窄占空比信號的智慧型管理功能。
針對較低柵極驅動器，驅動器的0.4歐姆阻抗可使功率MOSFET的柵極低於閾值電平，以確保高dV/dT相位節點轉換時不會出現貫通電流。內部二極體充電的自舉電容器使器件能在半橋配置下使用N通道MOSFET。TPS28225提供的三態脈寬調製(PWM)輸入與TITPS40091等所有多相控制器相兼容。斷電模式則能使負載免受反向輸出電壓的影響。
TPS28225 MOSFET驅動器現已投入量產，可通過TI及其授權分銷商訂購獲得。該器件採用低成本的8引腳SOICDFN封裝與散熱增強型3毫米×3毫米8引腳DFN封裝兩種封裝版本。
IR2117是美國IR公司專為驅動單個MOSFET或IGBT而設計的柵極驅動器積體電路。IR2117是美國IR公司專為驅動單個MOSFET或IGBT而設計的柵極驅動器，它採用高壓積體電路技術和無閂鎖CMOS技術，並採用雙直插式封裝，可用於工作母線電壓高達600V的系統中。其輸入與標準的CMOS電平兼容，輸出驅動特性可滿足交叉導通時間最短的大電流驅動輸出級的設計要求。其懸浮通道與自舉技術的套用使其可直接用來驅動一個工作於母線電壓高達600V的、在高邊或低端工作的N溝道MOSFET或IGBT。
內部結構及工作原理
IR2117的內部結構及工作原理框圖如圖2所示。它在內部集成有一個施密特觸發器，一個脈衝增益電路，兩個欠壓檢測及保護電路，一個電平移位網路，一個與非門，一個由兩個MOSFET組成的互補功放輸出級、一個RS觸發器以及一個脈衝濾波器共九個單元電路。正常工作時，若IR2127的邏輯電源部分及輸出電源部分不欠壓，則來自用戶控制脈衝形成單元的信號先由施密特觸發器整形，再經脈衝增益環節放大後，由電平移位網路進行電平移位與匹配，再經RS觸發器觸發後由互補推輓輸出級輸出驅動外接的MOSFET或IGBT。一旦輸入邏輯部分電源或輸出功放級懸浮電源中有一個出現欠壓，則兩部分中將有一個輸出信號被封鎖而使輸出驅動脈衝變為低電平。
套用注意事項
在使用IR2117時，首先應注意如下幾點：（1）若VB由Vcc採用自舉技術得到，則接於引腳Vcc與VB之間的二極體應為超快恢復二極體，其反向耐壓要大於600V。
（2）在使用自舉技術產生VB時，接於VB與VS之間電容應為高穩定、低串聯電感、高頻率特性的優質電容，可選滿足該要求的瓷片電容或鉭電容，電容容量為0.1～1μF均可，該電容量將隨IR2117工作頻率的提高而下降。
（3）利用IR2117可直接驅動電流容量較小的MOSFET或IGBT，但對電流容量大於100A以上的MOSFET或IGBT，et IR2117直接驅動就不合適了，此時應考慮對輸出脈衝進行功放。（4）可用來驅動工作母線電壓不高於600V系統中的MOSFET或IGBT，但實際使用時應考慮迴路中電感的存在以及Ldi/dt等因素引起的電壓過沖，因此，通常套用於母線電壓不高於400V（如國內電網對單交流整流後的310V）的系統中。
(5) 可用來驅動高端或低端通道中的一個MOSFET或IGBT。
（6）從IR2117到被驅動的MOSFET或IGBT的引線應儘可能短，其往返引線長度應限於200mm以內，並應儘可能使用絞線或同軸電纜禁止線，最好將被驅動的MOSFET或IGBT與IR2117裝於同一印製板上用印刷線條直接相連。
