個人簡歷
1956年6月15日生於浙江上虞，1982年在江蘇省徐州師範大學獲理學學士學位，1985-1988年在中國科學技術大學攻讀碩士學位，獲理學碩士學位，1988年底到英國阿伯丁大學攻讀博士學位，1992年獲博士學位。1992年到1997年在英國劍橋大學物理系卡文迪許實驗室從事博士後研究，包括超薄薄膜的生長機理，納米結構，微磁結構，薄膜器件的結構和磁性等多方面的研究。1997年底至2002年初，受聘於英國牛津儀器公司科研部，任高級工程師，從事薄膜生長,納米結構，薄膜物理性質和超導器件等方面的研究。2002年初開始在英國Strathclyde大學光電研究所工作。2002年11月受聘為“長江學者獎勵計畫”聘教授，武漢理工大學博士生導師。
學術成就
顧而丹博士1992年至1996年底受聘於英國劍橋大學卡文迪許實驗室，從事磁性薄膜外延生長、薄膜的微磁結構和器件方面的研究。1997年起受聘於英國牛津儀器公司研究部，擔任高級研究工程師，後又受聘於斯特拉思克萊德大學繼續進行薄膜生長、納米結構、薄膜物理和器件等方面的研究。他在稀土薄膜和多層膜研究領域，系統研究了薄膜的微結構和生長條件的關係。發現了製備超薄純稀土膜的新方法。在外延磁性薄膜和器件研究方面，在世界上首次研究和闡述了外延鐵膜和外延鐵膜微粒的微磁結構和微磁結構對微粒的尺度及取向的依賴關係。對於Co/Cu(110)外延體系，首次觀察到一個由於外延鈷粒子擴散引起的磁相變並發現了一種調控外延超薄磁膜磁各向異性的新方法。對於Co/GaAs(001)外延體系，研究了鈷膜微結構隨厚度的變化。在此研究的基礎上，首次正確闡述了這個外延體系的磁各異性和微結構的關係。在超導薄膜和器件方面，研究和發現了一種調控超導Iridium薄膜轉變溫度的新方法。並套用這個新方法，研究和製作了世界上第一個基於Ir膜結構的一維單光子TES探測器。另外，在英國牛津大學的資助下，研製成功了具有最小電流噪音的超導量子干涉器件。先後在《物理評論快報》、《套用物理快報》，《物理評論》等國際一流物理刊物上發表了約一百篇論文，並多次在重要的國際會議上做報告。
顧而丹教授和研究梯隊主要從事薄膜生長，薄膜物理性質和薄膜器件等方面的研究。研究梯隊由多名具有不同學術背景和研究經驗的教授和副教授組成。為進一步推動薄膜器件的研究工作，在複合新材料國家重點實驗室和光纖中心的支持下，顧而丹教授和梯隊同時在建設學校一級具有國際先進水平的微機電和微光電器件研究中心。該研究中心已先後購置安裝了超深紫外雙雷射微加工機和超高真空雙腔薄膜生長系統等現代化大型設備和其他配套設備。該研究中心已經具有一定規模，並已經開始獲得了一批創新性科研成果。2005年獲湖北省科技進步獎二等獎一項。
成果專利
1、利用超高真空蒸發設備，同步輻射EXAFS，X射線衍射和高分辨電鏡等手段，系統得研究和闡明了稀土薄膜的成核，生長機理，薄膜微結構和生長條件的關係。
2、研究了金屬多層膜在X射線光學上的套用。提出了一個增加軟X射線反射器頻寬的新設計。
3、利用洛倫茲電鏡和磁光克爾效應等手段，在世界上首次揭示了外延鐵膜微粒的微磁結構和其對微粒的尺度，取向和磁化條件的依賴關係。
4、發現和證明了在Co/GaAs(001)外延體系里，鈷的穩定相是雙取向的六方結構而不是以前一致認為的體心結構。並正確解釋了其磁性質對其結構的依賴關係。
5、對於Co/Cu(110)外延微粒陣列體系，首次觀察到一個由於外延鈷粒子擴散引起的磁相變。並發現此類體系具有可控的磁特性。
6、研究和製作了新型薄膜超導器件像超級超導量子干涉器(SQUID)和超導轉變溫度感測器(TES)。
以上這些研究成果曾在國際會議上宣讀，並已發表在《物理評論快報》，《物理評論》等國際物理刊物上。有些成果已申請了專利。
