離子植入技術可將摻質以離子型態植入半導體組件的特定區域上,以獲得精確的電子特性。這些離子必須先被加速至具有足夠能量與速度,以穿透(植入)薄膜,到達預定的植入深度。離子植入製程可對植入區內的摻質濃度加以精密控制。基本上,此摻質濃度(劑量)系由離子束電流(離子束內之總離子數)與掃瞄率(晶圓通過離子束之次數)來控制,而離子植入之深度則由離子束能量之大小來決定。
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