離子導體薄膜

薄膜化的離子導體。它不僅可以克服多數離子導體的離子電導率比較低的缺點，而且便於使固體離子器件小型化，同時還可能具有與塊料不同的特性，因而引起人們的重視。

正文

太薄的膜容易出現貫穿薄膜的微小孔道即針孔缺陷，影響使用；而太厚的薄膜又與塊料的性能差不多,因此離子導體薄膜的厚度通常在1～20μm之間。除常用的真空澱積、化學蒸發澱積和噴鍍等薄膜製備方法外，還用電化學法、放電法和等離子噴鍍等特殊工藝來製備離子導體薄膜。襯底與薄膜材料之間點陣常數和熱膨脹係數的差異，往往在薄膜中引起殘餘彈性應力。薄膜離子器件中包含有幾個相繼沉積的薄膜，因而應力的大小是器件成敗的關鍵。
離子導體薄膜電導率與膜的取向有關，而取向又受襯底溫度和襯底材料的影響。薄膜電導率通常比塊料高，例如以雲母為襯底，在35°C製備的AgBr薄膜的電導率比單晶的高三個數量級。
用離子導體薄膜作為固體電解質已作成薄膜電池、高溫燃料電池、庫侖計、定時器、氣體探測器和電色顯示器等多種固體離子器件。對薄膜的製備、性能和套用的研究仍將是快離子導體研究的重要方面。

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