相關詞條
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雜質擴散工藝
利用固態擴散原理將雜質元素按要求的深度摻入半導體表面或體內指定區域的工藝。在矽積體電路工藝中，主要是摻化學元素Ⅲ族和Ⅴ族雜質。摻入Ⅲ族元素形成P區；摻入...
雜質擴散工藝 正文 配圖 相關連線 -
雜質光
在摻雜型半導體材料中，雜質原子的能級離導帶或滿帶邊緣較近。因此，即使入射的光子能量較小(也就是光的波長較長)，還是能夠激發雜質原子，產生光生電子或光生空...
概念 雜質光電導效應 雜質光電導探測器 雜質光電導的光譜分布 -
雜質半導體
在本徵半導體中摻入某些微量元素作為雜質，可使半導體的導電性發生顯著變化。摻入的雜質主要是三價或五價元素。摻入雜質的本徵半導體稱為雜質半導體。製備雜質半導...
基本原理 本徵半導體 分類 -
0族元素
0族元素由於已經穩定，最外層電子數為8(氦為2)，故常以單質氣體存在。
氦 氖 氬 氪 氙 -
《核純鈾和鈾化合物中微量和超微量雜質元素分析的新技術》
這是一本關於核純鈾和鈾化合物中微量和超微量雜質元素的分離和分析的新技術、新方法的書。
基本信息 內容概述 創作背景 出版信息 目錄 -
核純鈾和鈾化合物中微量和超微量雜質元素分析的新技術
《核純鈾和鈾化合物中微量和超微量雜質元素分析的新技術》是1996 年 原子能出版社出版的圖書，作者是董靈英。
基本信息 內容簡介 目錄 -
施主雜質
為了控制半導體的性質可以人為地摻入某種化學元素的原子，摻入雜質元素與半導體材料價電子的不同而產生的多餘價電子會掙脫束縛，成為導電的自由電子，雜質電離後形...
摻雜方式 摻雜原理 摻雜結果 -
深能級雜質
此概念屬於半導體物理學範疇。 深能級雜質：雜質電離能大，施主能級遠離導帶底，受主能級遠離價帶頂。 深能級雜質有三個基本特點：一是不容易電離，對載流子濃度...
簡介 Ge和Si中的的深能級雜質 GaAs中的深能級雜質 GaP中的深能級雜質 -
淺能級雜質
淺能級雜質就是指在半導體中、其價電子受到束縛較弱的那些雜質原子，往往就是能夠提供載流子——電子或空穴的施主、受主雜質；它們在半導體中形成的施主能級接近導...
簡介 基本概念和能級計算 Ge和Si中的淺能級雜質 Ⅲ-Ⅴ族半導體中的淺能級雜質 -
92號元素
92號元素是化學元素表中排92的鈾元素。於1789年被克拉普羅特（M.H.Klaproth）首次發現。
基本信息 簡介 鈾的提煉
