形成原因

當p–n結加反向偏壓時,勢壘區能帶發生傾斜;反向偏壓越大,勢壘越高,勢壘區的內建電場也越強,勢壘區能帶也越加傾斜,甚至可以使n區的導帶底比p區的價帶頂還低.內建電場E使p區的價帶電子得到附加勢能q|E|x;當內建電場|E|大到某值以後,價帶中的部分電子所得到的附加勢能q|E|x可以大于禁頻寬度如果p區價帶中的A點和n區導帶中的B點有相同的能量,則在A點的電子可以高度到B點,實際上,這只是說明在由A點和B點的一段距離中,電場給予電子的能量等於禁頻寬度.因為A和B之間隔著水平距離為的禁帶,所以電子從A到B的過渡一般不會發生.隨著方向偏壓的增大,勢壘區的電場增強,能帶更加傾斜,將變得更短.當反向偏壓達到一定數值,短到一定程度時,量子力學證明,p區價帶中的電子將通過隧道效應穿過禁帶而到達n區導帶中。