英文別名：Indiumantimonideblackxtl; Indium antimonide (99.99%-In) PURATREM; antimony; indium(+3) cation; stibanylidyneindium
銻化銦分子式：InSb
分子量：236.578
熔點：535℃
密度：5.76g/cm3
製備：銻和銦的化合物。金屬銻和銦在高溫熔合而得。具閃鋅礦型結構的晶體。
用途：重要半導體材料之一。經熔煉提純的單晶, 可製成具有特殊性能的紅外探測器件等。
安全性：S61
危險品標誌：Xn,N
衍生物
銻化銦單晶(indium antimoningle crystal InSb)共價鍵結合，有一定離子鍵成分。立方晶系閃鋅礦型結構，晶格常數0.6478nm。密度5.775g/cm3。熔點525℃。為直接帶隙半導體，室溫禁頻寬度0.18eV，本徵載流子濃度1.1×1022/m3，本徵電阻率6×10-4Ω·m，較純晶體的電子和空穴遷移率為10和0.17m2/(V·s)。採用區域熔煉、直拉法製備。用於製作遠紅外光電探測器、霍耳器件和磁阻器件。
