鉭矽電阻薄膜

tantalum silicon resistance film
一種由鉭和矽的金屬間化合物組成的高電阻薄膜。具有耐高溫(熔化溫度2510℃)、耐腐蝕和高電阻的特點。矽含量在13％～75％(原子)時，電阻率為240~300μΩ·cm。TCR為(-800±40)×10-6/℃，高溫穩定性為±0.1％。採用鉭矽共濺射法或矽烷與鉭在氬氣中反應製得。用於製作高溫薄膜電阻元器件。