金半場效應管

金屬半導體場效應管通常由化合物半導體構成，例如砷化鎵、磷化銦、碳化矽等，它的速度比由矽製造的結型場效應管或MOSFET更快，但是造價相對更高。 第一個金屬半導體場效應管在1966年被發明，其良好的極高頻性能在隨後的一年即展現出來。 [2]在數字電路設計領域，由於數字積體電路的集成度不斷提高，因此使用金屬半導體場效應管並不如CMOS。

金半場效應管，是一種在結構上與結型場效應管類似，不過它與後者的區別是這種場效應管並沒有使用PN結作為其柵極，而是採用金屬、半導體接觸結，構成肖特基勢壘的方式形成柵極。金屬半導體場效應管通常由化合物半導體構成，例如砷化鎵、磷化銦、碳化矽等，它的速度比由矽製造的結型場效應管或MOSFET更快，但是造價相對更高。金屬半導體場效應管的工作頻率最高可以達到45GHz左右，[1]在微波頻段的通信、雷達等設備中有著廣泛套用。第一個金屬半導體場效應管在1966年被發明，其良好的極高頻性能在隨後的一年即展現出來。[2]在數字電路設計領域，由於數字積體電路的集成度不斷提高，因此使用金屬半導體場效應管並不如CMOS。