鄭新和

鄭新和，　中國科學院研究員，　2002年7月畢業於中國科學院半導體研究所，獲博士學位。

中國科學院研究員
2002年7月畢業於中國科學院半導體研究所，獲博士學位。博士畢業後分別工作於中國科學院物理研究所（博士後）、源順國際有限公司（套用科學家及地區經理）、德國Nanofilm公司等、中國石油大學（副教授）、智利Universidad Técnica Federico Santa María（研究助理）及台灣國立中興大學（研究人員）。2009年3月加入中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所，現為項目研究員。一直從事氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）和砷化鎵（GaAs）等半導體薄膜和量子阱（QW）結構的生長、材料性能分析與器件工藝方面的研究。另外，在圖形矽襯底上進行過碳納米管的定向和選擇性化學氣相沉積生長以及非占據電子能態的超高真空反向光電發射譜、掃描隧道顯微鏡分析。目前的研究興趣包括III-V族化合物半導體太陽能電池和發光二極體（LED）器件以及相應材料的金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）生長和性能分析。
主要科研經歷：
設計和製備了具有良好特性的p-i-n雙異質結InGaN/GaN太陽能電池，填充因子達81%；高品質GaN薄膜的MOCVD生長；GaAs與InGaAs單結太陽能電池的設計、MOCVD生長以及高導熱銅襯底上“薄膜”電池的製備；在圖形化藍寶石襯底上製備了雙面粗化並轉移至矽襯底上之具有良好散熱、大功率GaN基“薄膜”結構發光二極體LED；提出了一種直接測量GaN薄膜扭轉角的方法，避免了複雜的數學計算和擬合，此方法也適用其它具有馬賽克結構的薄膜；從布拉格定律出發，提出了GaN晶格常數的直接測量方法，該測量思想適合多種外延體系；詳細分析了最佳化量子阱生長參數對藍、綠光InGaN/GaN之LED光學和結構特性的變化；GaAsP應變補償GaAsSb/GaAs QWs以及SiC、SiGe材料的性能分析。已在Appl. Phys. Lett., IEEE J. Quantum Electron., Phys. Rev. B, J. Appl. Phys., Semi. Sci. & Technol., J. Crystal Growth, Jap. J. Appl. Phys., Thin Solid Films以及《中國科學》、《半導體學報》上發表論文近五十篇，其中第一作者十七篇，台灣專利一項。