個人簡介
莫慶偉，男，漢族，1973年9月出生於重慶合川。1996年本科畢業於中國清華大學材料科學與工程專業，1998年碩士研究生畢業於中國科學院半導體研究所半導體材料工程專業，2003年博士研究生畢業於美國德克薩斯大學奧斯汀分校固態電子與光電子專業。
中組部“千人計畫”專家，中國照明學會半導體照明技術與套用專業委員會副主任，中國照明電器協會光電子器件專業委員會副主任，國際微電子和電子封裝雜誌特約審稿人，大連理工大學兼職教授。現任雷士集團旗下上市公司之一廣東德豪潤達電氣股份有限公司LED研發副總裁。 （內容來源：浙江工商大學信息與電子工程學院）
研究領域
研究專長於大功率高亮度LED器件物理，光電子器件設計與工藝，新型光電子材料、器件及其封裝的研發和大規模生產的實現。帶領團隊圍繞“人本照明”、“智慧照明”等領域，展開研究與產品開發。
發表論文及演講18篇，申請專利23項，授權15項。國際微電子和電子封裝雜誌特約審稿人。 （內容來源：浙江工商大學信息與電子工程學院）
學習及工作經歷
1991.9-1996.7 畢業於中國清華大學，獲得材料科學與工程學士學位。
1996.9–1998.12 在中科院半導體所師從王占國院士研究自組織生長量子點的材料與光學特性，獲得半導體材料工程碩士學位。
1999.12–2003.3 在美國德克薩斯大學奧斯汀分校，獲得固態電子與光電子博士學位，在美國博士研究期間加入IEEE院士Dennis Deppe的研究小組專攻基於量子點的半導體發光器，專注於垂直腔面發射雷射器的研究。
2003年3月-2005年3月 在美國Kyotee任職首席工程師。
2005年3月-2007年3月 在美國矽谷任職Bridgelux研究科學家，專注於大功率LED器件設計與工藝研究。
2007年3月-2012年12月在美國矽谷任職Philips Lumileds 資深科學家和高級研發經理，專注於大功率高亮度的LED器件及產品研發, 並成功研發和商業化全LED汽車前照燈產品(AUDI R8)。
2012年12月至今，現任雷士集團廣東德豪潤達電氣股份有限公司LED研發副總裁。 （內容來源：浙江工商大學信息與電子工程學院）
重要獎項
美國全球Frost & Sullivan年度技術創新獎。
美國“Red Dot Award”(紅點獎)。
美國Daimler Special Award Innovation(戴姆勒特別創新獎)。
參加2014年第一屆“中國LED首創獎”活動評選：獲得ETi北極光LED倒裝晶片獲得“首創獎金獎”獎項;
參加2015年第二屆“中國LED首創獎”活動評選：獲得ETi CSP系列產品獲得“首創獎金獎”獎項。
“新型圖形化襯底上晶片級封裝的大功率倒裝發光二極體及其產業化”獲2017年度廣東省科技進步獎二等獎、專利“LED倒裝晶片封裝器件、其製造方法及使用其的封裝結構”獲第十九屆中國專利獎優秀獎。
“廣東省優秀民營企業家”、“LED行業十大風雲人物”、“中國優秀民營科技企業家”、“2015中國LED首創獎金獎”。 （內容來源：浙江工商大學信息與電子工程學院）
主要成果
碩士研究生師從中國科學院半導體研究所王占國院士，研究自組織量子點材料與光學特性;博士期間加入Dr.Dennis Deppe研究小組專攻量子點半導體發光器，尤其是垂直腔面發射雷射器(VCSEL)的研究，實現基於半導體/空氣DBR的VCSEL微腔激射。
2012年在美國工程院士Dr.George Craford領導的Philips Lumileds Lighting任資深科學家和研發高級經理，專注大功率高亮度的光電子器件及產品研發, 成功研發和商業化全LED汽車前照燈產品。獲全球Frost & Sullivan年度技術創新獎，“Red Dot Award”(紅點獎)及Daimler Special Award Innovation(戴姆勒特別創新獎)。
2012年加盟德豪潤達開展大功率高光效LED的研發工作 。
2013年9月成功推出新型北極光7070、3232、2525、1616等系列大功率器件與晶片產品，
廣東省科技廳2014年廣東省前沿與關鍵技術創新專項資金(省重大科技專項)項目“大規模精準集成光組件關鍵技術研究及產業化”總負責人。
科技部國家重點研發計畫戰略性先進電子材料重點專項2017年度項目“高效高可靠LED燈具關鍵技術研究”
課題四“高效高可靠低成本中大功率LED燈具關鍵技術研究”總負責人。 （內容來源：浙江工商大學信息與電子工程學院）
代表性論著
| 發表時間 | 論著（論文）名稱 | 發表載體 | 論著（論文）作者 |
| 2011 | LED for Automotive headlamp | International Symposium on Automotive lighting, Darmstadt, Germany 2011 | Q. Mo et at, |
| 2004 | Laser Display based on MEMS Technology | Invited Talk, SPIE, 2004 | L. MacMakin,Q. Mo, |
| 2003 | Room-Temperature Continuous Wave Operation of GaAs-Based Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Based on a P-Type GaAs/air Mirror, | Electronics Letters, page: 525- 526 Volume: 39, Issue: 6 | Q. Mo, H. Chen, Z. Huang, O.B. Shchekin C. Cao, S. Lipson, and D. G. Deppe |
| 2003 | Room-temperature CW operation of 980nm air-gap VCSELs | Conference on lasers and eletro optics (CLEO) 2003 | Q. Mo, H. Chen, Z. Huang, O.B. Shchekin C. Cao, S. Lipson, and D. G. Deppe |
| 2002 | Quantum dots for laser and microcavity devices | Photonics West (Invited Paper) | D. G. Deppe, O. B. Shchekin, Q. Mo, C. Cao, Z. Zou, H. Chen, |
| 2000 | Low-threshold continuous-wave two-stack quantum-dot laser with reduced temperature sensitivity | IEEE Photonics Technology Letters, 2000 Volume: 12 Start Page: 1120 | Shchekin, O.B.; Park, G.; Huffaker, D.L.; Mo, Q.; Deppe, D.G., |
| 1999 | Arsenic clusters on the surface of vertically aligned InAs islands on GaAs substrate by annealing | Applied Physics Letters, vol.75, no.19, 8 Nov. 1999, pp.2951-3. Publisher: AIP, USA | Fan TW, Mo QW, Lin F, Wang ZG, Zhang W |
| 1998 | Effects of annealing on self-organized InAs quantum islands on GaAs (100) | Applied Physics Letters, vol.73, no.24, 14 Dec. 1998, pp.3518-20. Publisher: AIP, USA | Mo QW, Fan TW, Gong Q, Wu J, Wang ZG, Bai YQ |
| 1998 | Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing | 1998 5th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (Cat. No.98EX105). IEEE. 1998, pp.641-4. Piscataway, NJ, USA | Mo QW, Fan TW, Gong Q, Wu J, Wang ZG, Bal YQ, Zhang W. |
| 1999 | InAs/In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As quantum wire structure with the specific layer-ordering orientation on InP(001). | Journal of Crystal Growth, vol.197, no.1-2, Feb. 1999, pp.95-8. Publisher: Elsevier, Netherlands | Wu J, Xu B, Li HX, Mo QW, Wang ZG, Zhao XM, Wu D. |
| 1998 | InAs/In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As quantum wire structure with the specific layer-ordering orientation on InP(001), | Semiconducting and Insulating Materials 12. Proceedings of the 10th Conference on Semiconducting and Insulating Materials (SIMC-X) (Cat. No.98CH36159). IEEE. 1998, pp.199-202. Piscataway, NJ, USA | Wu J, Xu B, Li HX, Mo QW, Wang ZG, Zhao XM, Wu D. |
| 1997 | Low temperature growth of reactive partially ionized beam deposited AlN films | Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials & Atoms, vol.124, no.4, May 1997, pp.519-22. | Xie Junqing, Mo Qingwei, Feng Jiayou |
| 1997 | Reactive partially ionized beam deposition of AlN thin films | Materials Letters, v 33, n 3-4, Dec, 1997, p 133-136 In English | Feng Jiayou, Xie Junqing, Mo Qingwei |
| 1998 | Study of molecular beam epitaxy InAs multilayers dots by TEM, | Journal of University of Science Technology at Beijing, p 182-184 In Chinese | Bai Yuanqiang, Mo Qingwei; Fan Tiwen |
| 1998 | Convergent beam electron diffraction study of the GeSi/Si interface | Journal of Chinese Electron Microscopy Society, Vol 17, no. 5, | Qing Zhihong, Liu delu, Mo Qingwei, Fan Tiwen |
| 1998 | CBED Study on Interface of Si1-xGex/Si, Proceeding of 9th China-Japan Seminar | Proceeding of 9th China-Japan Seminar on Electron Microscopy (Dalian, China), September 1998. | Qing Zhihong, Liu Delu, Mo Qingwei, Fan Tiwen |
| 1998 | Transmission Electron Microscopy Study on InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy | 6th Solid Thin Film Conference of China (Chengdu, China) | Fan Tiwen, Gong Qian, Mo Qingwei, Li ZhengQin, Wang Zhanguo, |
（內容來源：浙江工商大學信息與電子工程學院）
專利項目
| 專利保護期 | 專利名稱 | 授權國家 | 專利所有者 |
| 10/22/2007~ | Robust LED structure for substrate lift-off | 國際 | Philips Lumileds Lighting Company, LLC (San Jose, CA) Koninklijke Philip Electronics N.V. (Eindhoven, NL) |
| 07/06/2010~ | PASSIVATION FOR A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE | 國際 | KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. |
| 03/17/2006~ | Highly reflective mounting arrangement for LEDs | 國際 | Bridgelux, Inc. (Livermore, CA) |
| 11/19/2010~ | ISLANDED CARRIER FOR LIGHT EMITTING DEVICE | 國際 | KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. |
（內容來源：浙江工商大學信息與電子工程學院）
