納米記憶體

納米記憶體，是台灣“國研院”開發的一種全球最小的9納米功能性電阻式記憶體（R-RAM）數組晶胞。這個新記憶體在幾乎不需耗電的情況下，容量比現在的快閃記憶體增大20倍，1平方厘米麵積內可儲存1個圖書館的文字數據。

開發背景

負責“9納米超節能記憶體”開發的何家驊博士舉起示範模型

隨著可攜式3C產品對體積越來越小以及容量越來越大的需求日益增加，如何能研發出體積更小、記憶量更大的記憶體，是全球研究人員努力的目標。

2010年12月，台灣“國研院”納米（台稱“奈米”）組件實驗室領先全球，開發出全球最小的9納米功能性電阻式記憶體（R-RAM）數組晶胞。

這項重要開發成果已於2010年12月8日在美國舊金山舉行的國際電子組件會議正式發表，引起國際微電子產學研界高度重視。

特點

1、這個“納米記憶體”在幾乎不需耗電的情況下，1平方厘米麵積內可儲存1個圖書館的文字數據，將讓信息電子產品的輕薄短小化有無限發揮的可能性。

2、這個“納米記憶體”容量比現在的快閃記憶體增大20倍，但耗電量卻降低了200倍，而且可再借立體堆疊設計，進一步提升容量。

批量生產

“納米記憶體”這項新技術5到10年內量產，屆時將可對全球新台幣1兆元的傳統快閃記憶體產生重大貢獻，也希望這項技術能在2025年時有機會協助台灣於全球快閃記憶體的市場占有率提升至10%以上的產值。