版權資訊
作 者：（德）G.霍茲 等著，趙輝 等譯
出版時間：2007-2-1
版 次：1頁 數：268字 數：305000印刷時間：2006-4-1開 本：16開紙 張：膠版紙印 次：1I S B N：9787030164902包 裝：平裝
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本科生、研究生和材料及電化學領域的科技人員
內容簡介
本書主要論述了納米材料的電化學合成與製備方法以及它們的電化學性質。內容包括電沉積技術合成半導體納米晶、量子點以及超晶格和多層膜；（光）電化學刻蝕法製備多孔半導體（包括多孔矽）；多孔半導體膜的光生電荷及輸運現象；染料敏化光電池；自組裝多層膜的電致、光致變色，發光以及電荷的轉移和輸運。
本書可作為材料科學、套用化學、化學化工以及冶金專業研究生教材，同時也可作為相關專業教師和科研人員的參考書。
目錄
中文版序
譯者的話
原書序
第1章 雜化電化學／化學方法在石墨上合成半導體納米晶
1.1 引言
1.1.1 材料電沉積中的維度控制：技術發展水平
1.1.2 電化學／化學製備半導體量子點
1.2 金屬納米粒子的尺寸選擇性電沉積
1.3 對電化學Volmer-Weber生長過程中粒子尺寸分布的理解
1.4 金屬納米粒子到半導體量子點的轉變
1.4.1 金屬氧化物中間體
1.4.2 金屬氧化物到金屬鹽的轉變與表征
1.5 E／C合成材料的光致發光譜
1.6 E／C合成的量子點的套用舉例：基於新原理的光探測
1.7 結論
