穿透矽通孔技術

它是三維積體電路中堆疊晶片實現互連的一種新的技術解決方案。 如下圖晶片和存儲器件垂直地堆疊起來。 ③降低晶片功耗，據稱，TSV可將矽鍺晶片的功耗降低大約40%；

簡介

穿透矽通孔技術，一般簡稱矽通孔技術，英文縮寫為TSV(through silicon via)。
它是三維積體電路中堆疊晶片實現互連的一種新的技術解決方案。由於矽通孔技術能夠使晶片在三維方向堆疊的密度最大、晶片之間的互連線最短、外形尺寸最小，可以有效地實現這種3D晶片層疊，製造出結構更複雜、性能更強大、更具成本效率的晶片，成為了目前電子封裝技術中最引人注目的一種技術。

原理

如下圖晶片和存儲器件垂直地堆疊起來。這樣所獲得的“三明治”結構能夠降低總的晶片封裝尺寸，並加快晶片不同功能之間的數據流傳輸速度。

基本原理

優勢

①縮小封裝尺寸；
②高頻特性出色，減小傳輸延時、降低噪聲；
③降低晶片功耗，據稱，TSV可將矽鍺晶片的功耗降低大約40%；
④熱膨脹可靠性高。