概述
皮秒連續鎖模雷射器就是脈衝寬度壓縮到ps量級（10-12s） 的“超短”脈衝連續鎖模雷射器。按照泵浦方式，可以分為燈泵浦皮秒連續鎖模雷射器和半導體泵浦皮秒連續鎖模雷射器；按照鎖模方式，可以分為半導體可飽和吸收體連續鎖模皮秒雷射器和染料連續鎖模皮秒鎖模雷射器；按照雷射媒質，可以分為固體皮秒連續鎖模雷射器和光纖皮秒連續鎖模雷射器等。原理
一般採用半導體可飽和吸收鏡作為鎖模器件，LD泵浦的皮秒連續鎖模雷射器。所謂半導體可飽和吸收鏡，一般是採用外延法將半導體可飽和吸收體直接生長在半導體布拉格反射鏡上，因此被叫做可飽和半導體布拉格反射鏡(Saturable Bragg Reflector，簡稱SBR)或半導體可飽和吸收鏡(Semiconductor Saturable Absorber Mirror,簡稱SESAM)。所謂SESAM，它是一種將半導體可飽和吸收材料和反射鏡結合在一起的新型器件，當雷射入射到可飽和吸收體表面時，下能級的粒子受到激發躍遷到上能級，當上能級的粒子數飽和後，吸收體便被漂白。半導體可飽和吸收體具有兩個特徵的馳豫時間：帶內馳豫時間和帶間馳豫時間。帶內馳豫時間很短，約為100-200fs；而帶間馳豫時間相對較長，約為幾皮秒到幾百皮秒。在SESAM鎖模過程中，帶間馳豫時間提供了鎖模自啟動機制，帶內馳豫時間有效壓縮脈寬、維持鎖模穩定。
