濕法腐蝕工藝

濕式蝕刻的化學反應屬於液相（溶液）與固相（薄膜）的反應。當濕蝕刻進行動作的時候，首先，溶液里的反應物將利用擴散效應來通過一層厚度相當薄的邊界層，以達到被蝕刻薄膜的表面。然後，這些反應物將於薄膜表面的分子產生化學反應，並生成各種生成物。這些位於薄膜表面的生成物，也將利用擴散效應而通過邊界層到溶液里，而後隨著溶液被排出。

濕法腐蝕工藝

濕法化學腐蝕是最早用於微機械結構製造的加工方法。所謂濕法腐蝕，就是將晶片置於液態的化學腐蝕液中進行腐蝕，在腐蝕過程中，腐蝕液將把它所接觸的材料通過化學反應逐步浸蝕溶掉。用於化學腐蝕的試劑很多，有酸性腐蝕劑，鹼性腐蝕劑以及有機腐蝕劑等。根據所選擇的腐蝕劑，又可分為各向同性腐蝕和各向異性腐蝕劑。各向同性腐蝕的試劑很多，包括各種鹽類(如CN基、NH 基等)和酸，但是由於受到能否獲得高純試劑，以及希望避免金屬離子的玷污這兩個因素的限制，因此廣泛採用HF—HNO3腐蝕系統。各向異性腐蝕是指對矽的不同晶面具有不同的腐蝕速率。基於這種腐蝕特性，可在矽襯底上加工出各種各樣的微結構。各向異性腐蝕劑一般分為兩類，一類是有機腐蝕劑，包括EPW(乙二胺、鄰苯二酚和水)和聯胺等，另一類是無機腐蝕劑，包括鹼性腐蝕液，如KOH、NaOH、NH4OH等。

就濕法和乾法比較而言，濕法的腐蝕速率快、各向異性差、成本低，腐蝕厚度可以達到整個矽片的厚度，具有較高的機械靈敏度。但控制腐蝕厚度困難，且難以與積體電路進行集成。