簡介
使用二極體混頻方式時，在500～10,000Hz的頻率範圍內，多採用肖特基型和點接觸型二極體。原理
混頻二極體是一種肖特基勢壘二極體，它是利用金屬和N型半導體相接觸所形成的金屬?半導體結的原理而製成的。當金屬與半導體相接觸時，它們的交界面處會形成阻礙電子通過的肖特基勢壘，即表面勢壘。為了使半導體中的載流子容易地越過勢壘進入金屬，它必須採用電子逸出功（電子跑出半導體或金屬表面所需的能量）比金屬大得多的N型半導體。當二極體加上正向偏壓時，勢壘下降，多數載流子（電子）便從半導體進入金屬。混頻二極體與一般二極體相比，由於利用多數載流子工作，沒有少數載流子儲存效應，所以具有頻率高、噪聲低和反向電流小等特點，主要用於混頻器。材料
肖特基二極體是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極體（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理製作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理製作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極體或表面勢壘二極體，它是一種熱載流子二極體。點接觸型二極體是在鍺或矽材料的單晶片上壓觸一根金屬針後，再通過電流法而形成的。因此，其PN結的靜電容量小，適用於高頻電路。但是，與面結型相比較，點接觸型二極體正向特性和反向特性都差，因此，不能使用於大電流和整流。因為構造簡單，所以價格便宜。對於小信號的檢波、整流、調製、混頻和限幅等一般用途而言，它是套用範圍較廣的類型。
