公司簡介
洲磊科技股份有限公司，主要致力於化合物半導體晶粒之研發與製造，以專利製程技術，生產高質量發光二極體晶片(HighBrightnessLightEmittingDiode，簡稱HBLED)
龜山廠位於龜山工業區，為一專業之光電半導體上游磊晶廠，主要致力於化合物半導體磊晶片之研發與製造，以最先進之有機金屬氣相沈積及相關磊晶技術，生產各種適合光電組件套用之高質量LED外延片。
超高亮度發光二極體是最為重要的化合物半導體發光組件之一，它除了可大量節約能源、降低環境的溫室效應外，亦可取代我們目前使用之白熾及鹵素燈泡等照明器件，另外，高亮度LED亦套用在手機、PDA、數字相機、交通照明及其它相關高科技電子產品。因此，本公司現階段主要著重於氮化鎵(GaN)、磷化鋁鎵銦(AlGaInP)及其它化合物半導體之發光二極體晶粒及磊晶製造，製造各式不同波長及顏色之晶片，以配合市場對超高亮度LED的殷切需求。
為確保產品質量穩定維持在業界最高標準，斥資引進精密量測儀器作業生產系統，作最嚴格的質量管理，以穩定地供應客戶均勻度及特性優良之高效能晶粒。我們深信與客戶及協力夥伴建立長久之合作關係，是促進制程技術進步及改善產品質量之最佳方式。因此，洲磊科技重視並珍惜與所有客戶及研究機構之合作機會。
洲磊科技股份有限公司結合台灣及中國大陸東莞廠，擁有近三萬坪之廠房設備，以最先進之有機金屬氣相沈積(MOCVD)及相關磊晶技術，完美整合LED產業上游外延片與中游晶片製程，加上高標準的質量管理要求，洲磊科技為滿足顧客需求而努力，並竭誠為您提供最滿意的服務。
公司沿革
20086月25日獲經濟部核准，更名為:『洲磊科技股份有限公司』。
20082月竹南廠擴增晶粒製程設備，產能大幅提升。
200710月11日獲經濟部核准，更名為:『洲磊曜富科技股份有限公司』。
20078月1日與洲磊科技股份有限公司合併，曜富科技為存續公司。合併後資本額達十億六仟萬元整。
2006通過ISO/TS16949:2002汽車業質量系統驗證。
2006證期局核准公開發行。七月六日登錄為興櫃股票。
2006現金增資新台幣壹億貳仟萬元及盈餘轉增資新台幣陸仟萬元整，達資本額肆億捌仟萬元整。
2006本公司與國立中央大學簽訂"高分子球鋪排技術"授權移轉。
2004導入ISO/TS16949質量系統，提升產品流程控管。
2004取得『薄型化發光二極體晶粒結構』及『發光二極體金屬電極的製造方法及製造裝置』專利認證。
2004減資及現金增資壹億玖仟零玖拾陸萬參仟伍佰元整。
2004現金增資新台幣貳仟萬元，達資本額參億元整。
2003通過ISO9001-2000質量系統驗證。
2003間接對大陸投資，成立東莞洲磊電子有限公司。
2001遷廠至竹南廣源科技園區並現金增資至新台幣貳億捌仟萬元整。
2000成立組件產品事業處。
19978月增資至新台幣陸仟萬元整。李明順先生正式擔任董事長職。
1992公司正式成立，資本額新台幣伍佰萬元整。
品質政策
品質深耕信譽生根
本公司全體同仁奉行此一質量政策的精神，隨時隨地努力做好質量管理，使得產品質量在各階層紮根，並遵守對客戶的承諾，進而贏得客戶信賴，創造良好商譽。
品質保證
本公司通過ISO9001：2000年版之質量管理系統，及ISO/TS16949：2002年版之質量管理系統認證，從研發到量產，所有的產品都經歷了最嚴苛的國際標準檢驗程式。透過質量管理及質量保證活動，以確保本公司之產品能符合顧客的需求。此外也透過教育訓練提升員工對產品質量，及環境保護與安全衛生之認知，不僅製造滿足顧客需求之產品，也善盡對顧客與環境保護之責任，以促進持續發展，營造永續經營的環境。
