泡發射極工藝

用熱擴散方法形成發射區時所具有的橫向擴散，必定導致發射極—基極結埋藏於距發射極視窗邊緣一定距離的二氧化矽層下。因此，只要選擇適當的腐蝕液，把發射極視窗上的摻雜二氧化矽層泡淨，但又不使發射極—基極結暴露，就可以直接得到乾淨的矽視窗，以供製作良好的歐姆接觸。這一工藝就稱為泡發射極工藝。 由於不需套刻，因此它是一種所謂自對準的光刻工藝，它能使發射極寬度大為減小，對改進器件的高頻參數很有利

簡介

泡發射極工藝（washed emitter technology）進行雙極電晶體發射極雜質擴散時，發射極視窗將形成一層摻雜二氧化矽層。為了作好歐姆接觸，一般需用光刻套刻的方法在這層摻雜二氧化矽層上開一個露出矽表面的視窗。但是，採用這種方法， 由於存在套刻間距等問題，不利於減小發射極寬度，從而影響了高頻參數的改進。

舉例

在LSTTL電路中常採用泡發射極工藝。泡發射極工藝是指在發射區擴散後，用1%濃度的氫氟酸HF泡出（漂洗出）發射區擴散視窗（包括發射極接觸孔是利用了1%濃度的HF對磷矽玻璃PSG的腐蝕速度為每秒5nm，而對SiO，卻只有每秒0.25nm。這樣300nm的三次氧化層需1分鐘就可漂盡，而SiO層只去掉7.5nm。所以發射極擴散視窗被“泡出”後，視窗外的原有氧化層卻很少受到腐蝕。

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