模擬CMOS電路設計折中與最佳化

內容介紹

本書從嶄新的視角給出模擬CMOS電路設計的折中和最佳化方法， 提出了反型係數的概念， 推出採用反型係數、漏極電流和溝道長度作為器件和電路設計的三個選項的設計方法。全書分為兩部分， 第一部分深入、細緻地研究了三個選項對器件、基本電路各種性能的影響；對於諸如速度飽和、垂直電場遷移率減小、漏致勢壘降低等短溝道效應以及熱噪聲、閃爍噪聲和失配等高階效應對器件和電路性能的影響給出較為深入、詳細的介紹；在給出由基本物理概念推導得出公式的同時， 本書常會給出適合於手工計算的簡單表達式， 以及設計選項對性能影響的變化趨勢， 並配以預測或實測的圖表。第二部分採用CMOS工藝結合典型電路（運算跨導放大器和微功耗， 低噪聲前置放大器）設計進行實例介紹， 給出了各種情況下電路最佳化設計的結果和相應的分析。其中， 值得一提的是本書介紹了一種採用模擬CMOS設計、折中和最佳化電子數據表的設計方法。採用該方法， 設計者可以通過調整MOS器件的漏極電流， 反型係數和溝道長度， 對模擬CMOS電路進行快速的初始最佳化， 並觀察所得到器件和完整電路的性能。這種設計方法在設計之初就為設計者提供了一種設計直覺和今後最佳化的方向。