李肇基[四川省科技顧問團顧問]

李肇基教授,博士導師,享受國家特殊津貼專家,四川省科技顧問團顧問。1963年畢業於(現電子科技大學)半導體專業。

簡介

李肇基教授,博士導師,享受國家特殊津貼專家,四川省科技顧問團顧問。1963年畢業於(現電子科技大學)半導體專業。1963年至今在該校從事半導體和微電子學方面的科研和教學工作,多次榮獲“三育人”先進個人、優秀教師等稱號,其中1982年至1984年作為訪問學者赴美國喬治亞理工學院工作,1984年回國後主要研究領域是新型功率器件和智慧型功率積體電路。指導博士生和碩士生五十餘名,鑑定科技成果12項,獲國家專利兩項,獲國家科技進步三等獎,國家發明四等獎、電子部科技進步獎等8項。在IEEE等發表論文四十餘篇,被邀為國際雜誌《Solid-State Electronics》審稿人。作為課題負責人之一的八·五攻關項目"新型功率MOS器件"於1996年11月獲國家計委,國家科委和財政部聯合表彰。在IEEE Trans ED(1994,No.12)等中,提出了CLIGBT有非平衡電子抽出的模型和網路模型及模型直接嵌入法。並提出一種具有鍵合襯底的絕緣柵場效應電晶體(IGBT),此結構可普適於電導型調製功率器件,獲發明專利。用國產單晶矽材料取代昂貴的進口外延片製作IGBT。在IEEE Trans. ED(1994,No.12)提出CLIGBT瞬態回響模型。在Solid-State Electron(1991,No.3)提出功率MOS電晶體熱特性分析的全熱程電熱模型。在Solid-State Electron(2000,No.1)中提出電導調製型功率器件的非平衡載流子非準靜態抽出模型。在ICCCAS(2002 June)提出了SOI高壓橫向器件的新結構及其界面電荷耐壓模型。

主要成果如下

§ MOS類新型電力電子器件及其技術",國家科技進步三等獎,1998(2);

§ 一種具有複合禁止層耐壓的高速高壓功率半導體器件",國家發明四等獎,1996(2);

§ "XXXX功率器件",國防科技二等獎,2000(1);

§ "靈巧功率積體電路設計技術,1996~2000"。 已由電科院主持鑑定,達到國際先進水

平,驗收穫優。

§ "XXXX積體電路研究,1996~2000"。 已由電科院主持鑑定,達到國際先進水平,

驗收穫優。

§ 兩個項目獲2001年國防科技進步二等獎。

§ Z.J. Li,L.Y. Luo,Y.F. Guo,B. Zhang,J. Fang,J. Zeng,"Breakdown Theory of a

New SOI Composite Structure", ICCCAS, pp.1744-1747, June, 2002;

§ Z. J. Li, J. Fang, J. Yang, Analytical Turn-off Current Model for Type of

Conductivity Modulation Power MOSFETS with Extracted Excess Carrier,

Solid-State Electronics, Vol44, No. 1, pp1-9, 2000;

§ Z. J. Li, et al, Turn-off Transient Characteristics of Complementary

Insulated -Gate Bipolar Transistor, IEEE Trans. ED, ED-41,No.12,pp.2468-2471,

1994;

§ Z, J, Li, X. B. Chen et al. Analysis of thermal characteristics of VDMOS Power

Transistor, Solid State Electronics,Vol.34, No.3, pp.225-231,1991;

§ Z. J. Li, M. Zhang, J. M. Zhao and X. N. Li, Extracted Current Turn-off Model for

Type of the Power MOS Transistor with Conductivity Modulation,

Chinese J. Electronics, Vol.7,No.3,pp.223-227,1998;

§ X. B. Chen,B. Zhang and Z. J. Li,Theory of Optimum Design of Reverse-Biased p-n

Junctions using Resisted Field plates and Variation Lateral Doping,

SSE Vol. 35,No.9,pp1365-1370,1992;

§ Z. J. Li, et al, Calculation of Electric Field Profile of High Voltage Devices With

Junction Termination Extension,Proc. ICSICT Oct,pp462-464,1989;

§ Q. Liu(劉啟宇), Z. J. Li(李肇基), B. Zhang(張波), J. Fang(方健),

"The Research on Breakdown Voltage of High Voltage LDMOS Devices with Shielding

Trench", Proc. ICSICT,10, pp.155-158, 2001;

§ Li Zhaoji, Guo Yufeng , Zhang Bo, J Fang ian, Li Zehong, A New 2-D Analytical Model

of Double RESURF in SOI High Voltage Devices, Proceedings of ICSICT04, 2004,

pp. 3 28-331.(ISTP)

§ Guo Yufeng, Li Zhaoji, Zhang Bo, Fang jian, An Analytical Breakdown Model of High

Voltage SOI Device Considering the Modulation of Step Buried-oxide Interface

Charges, Proceedings of ICSICT04, 2004, pp357-360.(ISTP)

§ Baoxing Duan , Bo Zhang , Zhaoji Li,"A New Partial SOI Power Device Structure with

P-type Buried Layer",Solid-State Electronics,49,1965-1968。

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