李競春

IC關鍵技術研究”、“SiGe BiCMOS關鍵技術研究”、“GaN “Microelectron

李競春，女，副教授，1963年11月出生。1985年畢業於四川大學物理系，同年進入電子科技大學微電子科學與工程系至今，在此期間獲得碩士 學位。
主要研究方向是SiGe異質結器件及SiGe CMOS和BiCMOS電路。承擔和參加多項“九五”、“十五”總裝軍事預研和國防重點實驗室基金項目，完 成“絕緣參數線上監測感測器技術研究”、“Si/SiGe PMOS器件及可靠性研究”、“低溫優質薄柵介質工藝研究”、“SiGe HCMOS器件研究” 等項目。目前承擔軍事電子預研支撐技術項目“SiGe HCMOS IC關鍵技術研究”、“SiGe BiCMOS關鍵技術研究”、“GaN HEMT的極化工程和電 流崩塌效應”和多項國防重點實驗室基金、國家安全重大基礎研究等項目。
對本科生開設《量子力學與統計物理》、《固體電子學導論》兩門課程和研究生《特種半導體器件》課程。作為主持“專業物理系基礎列課程 改革與實踐”獲教學成果一等獎，“固體電子學導論”獲得首屆青年教師現代教育技術套用競賽二等獎，並多次獲得基礎課“拓普獎”。
近年來在“半導體學報”、“Semiconductor Science and Technology”、“Journal of Electronics”、 “Microelectronics Journal”、 “電子科技大學學報”、“微電子學”等期刊發表科研、教學研究論文十餘篇。