人物簡介
李澤宏，男，教授，1997年於四川大學獲得碩士學位，2004年於電子科技大學獲得工學博士學位，專業為微電子學與固體電子學。一直從事功率器件和功率積體電路的研究。功率器件的研究方向主要是功率器件的基本參數及其輻照理論的研究，功率積體電路的研究方向主要是電路設計、積體電路的工藝及製造等。
科研成果
作為主研進行了國家自然科學基金、重點實驗室基金、總裝預研項目和國家863計畫信息技術領域超大規模積體電路設計專項等多個項目的研究。現在研究的項目包括國家自然科學基金重大項目：單片功率系統集成（PSoC）的基礎理論和技術研究；重點實驗室項目：抗輻照VDMOS設計；型號項目：高速觸發與時間內插電路。迄今發表文章10餘篇，被SCI、EI、ISTP檢索有六篇。
科研工作
主持或主研國家和省部級縱向科研項目10餘項，其中重大科研項目5項（研究經費180萬元以上）；國際和境外合作項目2項；主持橫向科研項目20項。涉及功率器件、功率積體電路、抗輻照技術、功率套用等領域。
研究內容1：功率半導體器件
開展了功率DMOS、IGBT、整流器、BJT、JFET、恆流器件等多種功率器件的研究，取得了豐碩的成果。（1）在國內foundry建立了50-100V、200-300V、400-700V平面型VDMOS工藝平台，開發出上百款平面型VDMOS產品；研製了30-80V槽柵型VDMOS；與華虹NEC合作，在國內首次實現耐壓700V的超結VDMOS；開展了抗輻射加固VDMOS、ESD保護VDMOS及帶多種保護功能的智慧型VDMOS的研究。（2）開展了600V-6500V的IGBT系列產品研發，600V、1200V平面型及槽柵型NPT和FS-IGBT已大量套用於電磁爐等消費類電子領域，1700V、2500V NPT-IGBT、3300V、4500V FS-IGBT已通過可靠性考核， 6500V FS-IGBT均已成功流片，指標達到設計要求，在IGBT的設計中使用了載流子存儲（CS）層技術。（3）提出了埋層結構的超勢壘整流器新結構（BLR，buried-layer rectifier），實現了超低正嚮導通壓降，相關研究成果發表在ISPSD 2012，並申請多項中國發明專利。（4）研製的CS中心對稱結構高反壓BJT對管，打破了國外壟斷和封鎖，已經套用于飛行控制系統和艦艇舵機系統，裝備系統100多套，使用至今，故障率為零。（5）研製了高功率音頻放大對管和具有抗輻射/ESD保護的JFET器件。
研究內容2：高低壓工藝集成技術
進行BCD工藝平台的開發，並提出具有採樣及自供電功能的SENSFET器件，很好套用於高低壓集成工藝中，基於此，開發了一套600V的BCD工藝平台。
研究內容3：電源管理積體電路設計
開發了多款用於LED照明的IC，有線性恆流IC、DC-DC和AC-DC的一系列IC產品，部分產品已經用於自主研發的LED照明系統。
論文著作
發表IEEE TPEL、IEEE ISPSD、物理學報、半導體學報等期刊和會議論文100餘篇，SCI和EI等收錄40餘篇。申請專利100餘項，已經授權30餘項。
本研究小組按國際上研究生培養的通則要求學生，著力提高學生的研發能力。提供與創造儘可能完善的研究條件，強調發揮學生的主觀能動性，尊重學生的個性發展。營造“亦師亦友”氛圍，力求實現師生 “同發展，享雙贏”的目標。
