簡介
曝光機是指通過開啟燈光發出 UVA波長的紫外線，將膠片或其他透明體上的圖像信息轉移到塗有感光物質的表面上的設備。
基本概念
曝光機即電子束曝光機是集電子光學、電氣、機械、真空、計算機技術等於一體的複雜的半導體加工設備。
曝光機/光刻機
曝光機是20 世紀 60 年代初從掃描電子顯微鏡基礎上發展起來， 70 年代以後廣泛套用於半導體積體電路製造業。
基本工作原理
在計算機的控制下，利用聚焦電子束對有機聚合物（通常稱為電子抗蝕劑或光刻膠）進行曝光，受電子束輻照後的光刻膠，其物理化學性質發生變化，在一定的溶劑中形成良溶或非良溶區域，從而在抗蝕劑上形成精細圖形。
常見曝光機舉例
MYCRO韓國製造的紫外曝光系統，適用於從特殊大小的基片到4尺寸很寬廣範圍材料的紫外或深紫外光曝光。MDA-400M系統成功地套用於半導體製造，光電電子，平板，射頻微波，衍射光學，微機電系統，凹凸或復晶設備和其他要求精細印製和精度對準的技術要求。
MDA-400M系統組件：
紫外光源構造
帶托盤的晶片工作檯
配CCD鏡頭的顯微鏡
監視器
掩膜夾具
紫外光源透鏡
紫外光源鏡片
紫外燈電源系統
操作控制器
350W紫外燈
MDA-400M參數：
晶片台
基底尺寸 標準尺寸 最大至4英寸；可選最大至6英寸；
托盤 標準尺寸 最大至4英寸；可選最大至6英寸；
活動範圍
X：10mm Y： 10mm Z ： 10mm Theta： 4 degree
對準精度 1um
擠入補償 Air bearing型
Z軸滑動 手動
真空泵 無油真空泵
掩膜台
掩膜夾具類型 真空吸附和機械夾取
紫外光源
紫外燈 350 瓦
均勻光束大小 4.25“ X 4.25“
曝光模式 壓縮/真空/相鄰
曝光時間控制 可程式控制型
曝光定時器 1 ~ 999.9 秒
用途
更廣範圍（UV，DUV，NUV）的紫外光波長選擇，出射光強範圍: 8mW/cm2~40mW/cm2
支持恆定光強或恆定功率模式
廣泛套用於半導體、微電子、生物器件和納米科技領。
常見曝光機舉例：MYCRO美國製造的恩科優（N&Q）紫外曝光系統，適用於從特殊大小的基片到4尺寸很寬廣範圍材料的紫外或深紫外光曝光。NXQ400-6系統成功地套用於半導體製造，光電電子，平板，射頻微波，衍射光學，微機電系統，凹凸或復晶設備和其他要求精細印製和精度對準的套用。
