退火工藝簡介
退火：往半導體中注入雜質離子時，高能量的入射離子會與半導體晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子發生位移，結果造成大量的空位，將使得注入區中的原子排列混亂或者變成為非晶區，所以在離子注入以後必須把半導體放在一定的溫度下進行退火，以恢復晶體的結構和消除缺陷。同時，退火還有激活施主和受主雜質的功能，即把有些處於間隙位置的雜質原子通過退火而讓它們進入替代位置。
快速退火工藝簡介
RTP（Rapid Thermal Processing）快速熱處理，是在非常短的時間內將整個矽片加熱至400~1300℃濕度範圍內的一種方法，相對於爐管退火，它具有熱預算少，矽中雜質運動小，玷污小和加工時間短等特點。
快速退火爐設備
台灣快速退火爐分為科研型和生產型，科研型快速退火爐e1200、CT100M、CT150M三種型號系統專用於科學研究。適用於Si, Ge, Si/Ge, GaAs, InP及其他半導體材料的熱處理工藝。
快速退火爐CT100M/150M
● 多重燈管設計以保證溫度均勻
● 實時閉環溫度控制方式
● 實時燈絲電流監測以保證工藝穩定可靠性
● 安全監測，包括熱偶測溫檢測、過熱檢測、燈絲電流檢測
● 中英文用戶操作界面，使用非常簡便
● 軟體全自動控制工藝過程，操作簡單，包括用戶分級使用許可權管理
● 選單編輯、工藝數據記錄/查找、報警/報錯、用戶狀態等功能
快速退火爐套用領域
● 離子注入後退火/活化
● 金屬合金化，砷化稼電極合金化
● 磷矽酸鹽玻璃/硼磷玻璃回流
● 溝道氧化
● 柵介質形成
● 多晶矽退火
● 鈦矽化物/矽化物/氮化物退火銅銦鎵硒光伏套用中的硒沉積
