夏建新

夏建新，男，教授，1963年4月出生。1984年7月畢業於四川大學物理系，獲理學學士學位。1987年6月從西安交通大學電子工程系畢業，獲工學 碩士學位。1987年6月至1995年10月在電子科技大學微電子所工作，從事功率電子學方面的研究。1990年3月晉升講師。1995年10月至1999年11 月在日本大阪大學留學，從事超大規模積體電路工藝方面的研究。1999年9月在大阪大學電氣工程系獲工學博士學位。2000年1月至今在電子科 技大學微電子所從事超大規模積體電路工藝和功率電子學方面的教學、研究工作。2000年6月晉升為教授。
研究興趣主要在功率電子學和超大規模積體電路工藝兩個方面。曾長期從事功率MOS器件方面的研究，先後參加了包括七五攻關項目、自 然科學基金重點項目在內的六個科研項目的研究工作，完成的科研課題“矩形槽柵功率MOS電晶體”和“高壓器件的電阻場板、鈍化膜與表面橫 向變摻雜終端技術”分別獲電子部科技進步三等獎。從一九九五年十月開始，從事超大規模積體電路工藝研究，重點在積體電路可靠性、超淺 結形成及其工藝模擬、離子注入缺陷和雜質原子的相互作用等方面。有多篇論文在J. Appl. Phys.、Jpn. J. Appl. Phys、The Transactions of IEICE、International Electron Devices Meeting等雜誌和國際會議文集上發表。