半導體化學
半導體材料是結構敏感的材料。其內部或表面上晶體的不完善性(如晶體缺陷、位錯等)或微量雜質的存在都可以顯著地改變材料的物理性能。這就決定了半導體化學的一系列特點，如高純物質的製備、完善單晶體的製取、完善單晶層的生長、微量雜質有控制地摻入、超純物質的分析等。
50年代半導體材料以鍺為主，到了60年代，矽已占據了該類材料中的統治地位。預計這種狀況在20世紀內不會改變。因此，目前半導體化學的主要內容是以矽為中心展開的。其他研究較多並已得到套用的材料還有化合物半導體，如砷化鎵。
70年代以來，無定形半導體（玻璃半導體）的研究有了重要的進展，這是一類有前途的半導體材料。對於有機半導體和高聚物半導體也一直在進行探索性的研究。無疑，這些研究工作將會不斷地為半導體化學增添新的內容。
參考書目
李家植編：《半導體化學原理》，科學出版社，北京，1980。
