剩餘電阻比法

剩餘電阻比法是金屬在室溫和在液氦(4.2K)的電阻率之比。金屬(或合金)的電阻的實質是晶格對電子的散射，因此電阻率ρ由兩個部分組成，一是晶格畸變對電子散射的影響ρo，另一部分是晶格振動對電子散射的影響ρ(T)，即ρ=ρo+ρ(T)。

概念

剩餘電阻比法是金屬在室溫和在液氦(4.2K)的電阻率之比 。

電阻率

金屬(或合金)的電阻的實質是晶格對電子的散射，因此電阻率ρ由兩個部分組成，一是晶格畸變對電子散射的影響ρo，另一部分是晶格振動對電子散射的影響ρ(T)，即ρ=ρo+ρ(T)。

剩餘電阻

當溫度T降低到4.2K時，ρ(T)趨向於零，ρo則不隨溫度而變化，此時ρ≈ρo，稱為剩餘電阻。

作用

主要決定於雜質元素對電子的散射，也就是說ρo的數值將能靈敏地反映出金屬中雜質含量的高低 。

測量方法

測量剩餘電阻比的方法有許多，較為常用的是非接觸式的渦流法。其原理是：處於變化磁場中的金屬試樣會感應出渦流。

特點

剩餘電阻比的數值直接反映金屬的純度。已對銅、鋁、鎵、銦等金屬積累了大量的數據，並製備了標樣。該方法的優點：靈敏度高、精密度高和方法簡單，可實現無接觸測量。缺點是測量的是雜質總量，而不能區別雜質元素的種類及其各自的含量 。