切克勞斯基技術

切克勞斯基技術(Czochralski technique)是拉制單晶體的一種重要技術,又稱為直拉單晶技術。實際上,該技術就是從熔體中生長單晶的一種方法,即是採用小的籽晶緩慢地從熔體中垂直拉制出大直徑單晶錠的技術。用該法製備出的單晶稱為直拉[CZ]單晶。
現在所使用的半導體矽單晶絕大多數都是用該法生產的,大直徑的GaAs單晶也越來越多地採用該法來生產了。

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