簡介
是指在微電子、光電子技術和新型元器件基礎產品領域中所用的材料，主要包括單晶矽為代表的半導體微電子材料；雷射晶體為代表的光電子材料；介質陶瓷和熱敏陶瓷為代表的電子陶瓷材料；釹鐵硼（NdFeB）永磁材料為代表的磁性材料；光纖通信材料；磁存儲和光碟存儲為主的數據存儲材料；壓電晶體與薄膜材料；貯氫材料和鋰離子嵌入材料為代表的綠色電池材料等。這些基礎材料及其產品支撐著通信、計算機、信息家電與網路技術等現代信息產業的發展。
分類
1.矽微電子材料
矽（Si）材料作為當前微電子技術的基礎，預計到本世紀中葉都不會改變。從提高矽積體電路ICs性能價格比來看，增大直拉矽單晶的直徑，仍是今後矽單晶發展的大趨勢。矽ICs工藝由8英寸向12英寸的過渡將完成。預計2016年前後，18英寸的矽片將投入生產。從進一步縮小器件的特徵尺寸，提高矽ICs的速度和集成度看，研製適合於矽深亞微米乃至納米工藝所需的超高純、大直徑和無缺陷矽外延片會成為矽材料發展的主流。
2. 矽基高效發光材料
矽基光電集成一直是人們追求的目標，其中如何提高矽基材料發光效率是關鍵。經過長期努力，2003年在矽基異質結電注入高效發光和電泵激射方面的研究獲得了突破性進展?這使人們看到了矽基光電集成的曙光。
3. 寬頻隙半導體材料
第三代，高溫、寬頻隙半導體材料，主要指的是III族氮化物，碳化矽（SiC），氧化鋅（ZnO）和金剛石等，它們不僅是研製高頻大功率、耐高溫、抗輻照半導體微電子器件、電路的理想材料，而且III族氮化物和ZnO等還是優異的短波長光電子材料。
4. 納米低維半導體材料
通常是指除體材料之外的二維超晶格、量子阱材料?一維量子線和零維量子點材料?是自然界不存在的人工設計、製造的新型半導體材料。MBE、MOCVD技術和微細加工技術的發展和套用為實現納米半導體材料生長、製備和量子器件的研製創造了條件。
5. 其它信息作用材料
信息存儲材料，磁記錄材料仍是目前最重要的存儲材料，預計到2006年左右，磁性材料中磁記錄單元的尺寸將達到其記錄狀態的物理極限100Gb/in2?。
信息作用材料，由體材料-薄層、超薄層微結構材料-集材料、器件、電路為一體的作用集成晶片材料-有機/無機複合材料-無機/有機/生命體複合和納米結構材料和量子器件方向發展。
