光阻

光阻，亦稱為光阻劑，是一個用在許多工業製程上的光敏材料。像是光刻技術，可以在材料表面刻上一個圖案的被覆層。

光阻有兩種，正向光阻(positive photoresist)和負向光阻(negative photoresist)

正向光阻是光阻的一種，其照到光的部分會溶於光阻顯影液，而沒有照到光的部份不會溶於光阻顯影液。--沒照到光的部分留下

負向光阻是光阻的一種，其照到光的部分不會溶於光阻顯影液，而沒有照到光的部份會溶於光阻顯影液。--照到光的部分留下

正型光阻劑及負型光阻劑主要是套用在LED晶片製造的金屬電極蒸鍍Lift-off製程中，由於LED電極所使用的金屬材料不易經由蝕刻的方式製作電路圖形，所以利用拔起（Lift-off）微影製程，得到突起的（overhang）光阻圖形，使金屬在蒸鍍過程中不會連續性滿布在光阻劑上，再用去光阻劑的方式將未遭金屬布蓋的光阻部份拔起，完成金屬電極的圖案。

半導體製程常用的正型光阻劑，在光學曝光方式下，光阻劑上層接受能量較下層光阻高，使得正型光阻劑成像大部份圖形為上窄下寬，無法經一次曝光方式即得到Overhang的圖形，而負型光阻劑的成像恰好與正型光阻劑圖像相反，所以負型光阻劑是lift-off製程的最佳選擇。
作者：LED小知識

光阻液
光阻材料簡介
光阻主要由樹脂(resin)，感光劑(sensitizer)，溶劑(solvant)三種成分混合而成。
光阻種類: 光阻分為正光阻及負光阻兩種。
1. 正光阻: 光阻本身難溶於顯影液，曝光後解離成小分子，形成容易溶於顯影液的結構。
2. 負光阻: 曝光後形成不容易溶於顯影液的結構。
一般Array photo process 對正型光阻的需求如下:
1. 塗布Coating: Thickness uniformity and Mura free.
2. 曝光Exposure: Photospeed.
3. Development: Thickness loss, taper and process window.
4. Postbaking: Heat resistance and reflow.
5. Etching: Etching resistance and adhesion.
6. Stripping: Resist removability.