概述
半導體材料中的激子與在微腔中振盪的光子之間的強耦合產生新的半光、半物質的準粒子,被稱為偏振子。
性質
偏振子的獨特性質(產生奇異的激射和量子凝聚效應)有可能產生新一代粒子發射器和半導體雷射器。偏振子激射和非線性已在光學實驗中得到演示,但如果能夠演示由電驅動的偏振子光發射裝置的話,在技術上將會很有意義。現在,這一點已經在一種砷化鎵二極體中做到,該二極體能夠從處在相對來說比較高的235K的溫度下的偏振子中直接發射光。對光—物質相互作用的嚴格控制,可在一個半導體微腔中以納米尺度實現。本文作者認為,他們所取得的發現是朝著實現具有前所未有特點的新型超高效偏振子裝置所邁出的重要一步。