ODT（on-dietermination，片內終結器）
我們知道使用DDRSDRAM的主機板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主機板的製造成本。實際上，不同的記憶體模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主機板上的終結電阻並不能非常好的匹配記憶體模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自己的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主機板成本，還得到了最佳的信號品質，這是DDR不能比擬的。
作用
DDRII內建了終結電阻器，在DRAM顆粒工作時把終結電阻器關掉，而對於不工作的DRAM顆粒則打開終結電阻，減少信號的反射。ODT至少為DDRII帶來了兩個好處，一個是去掉了主機板上的終結電阻器使主機板的成本降低，也使PCB板的設計更加容易。第二個好處是終結電阻器可以和記憶體顆粒的"特性"相符，使DRAM處於最佳狀態。
主機板終結電阻控制電壓與ODT在寫入數據時的比較
主機板終結電阻控制電壓與ODT在讀取數據時的比較
出於兼容性的考慮，DDR2標準在制定之初似乎顯得有些縮手縮腳，這也直接導致其各方面表現比起DDR沒有長足進步。新一代的DDR3採用了ODT（核心整合終結器）技術以及用於最佳化性能的EMRS技術，同時也允許輸入時鐘異步。在針腳定義方面，DDR3表現出很強的獨立性，甚至敢於徹底拋棄TSOPII與mBGA封裝形式，採用更為先進的FBGA封裝。DDRIII記憶體用了0.08微米製造工藝製造，將工作在1.5V的電壓下。
