低溫多晶矽
LTPSTFT LCD可分為多晶矽(Poly-Si TFT)與非晶矽(a-Si TFT)，兩者的差異在於電晶體特性不同。多晶矽的分子結構在一顆晶粒（Grain）中的排列狀態是整齊而有方向性的，因此電子移動率比排列雜亂的非晶矽快了200-300倍；一般所稱的TFT-LCD是指非晶矽，技術成熟，為LCD 的主流產品。而多晶矽品則主要包含高溫多晶矽(HTPS)與低溫多晶矽(LTPS)二種產品。
低溫多晶矽(Low Temperature Poly-silicon；簡稱LTPS)薄膜電晶體液晶顯示器是在封裝過程中，利用準分子鐳射作為熱源，鐳射光經過投射系統後，會產生能量均勻分布的鐳射光束，投射於非晶矽結構的玻璃基板上，當非晶矽結構玻璃基板吸收準分子鐳射的能量後，會轉變成為多晶矽結構，因整個處理過程都是在600℃以下完成，故一般玻璃基板皆可適用。
特性
LTPSLTPS-TFT LCD具有高解析度、反應速度快、高亮度、高開口率等優點，加上由於LTPS-TFT LCD的矽結晶排列較a-Si有次序，使得電子移動率相對高100倍以上，可以將外圍驅動電路同時製作在玻璃基板上，達到系統整合的目標、節省空間及驅動IC的成本。
同時，由於驅動IC線路直接製作於面板上，可以減少組件的對外接點，增加可靠度、維護更簡單、縮短組裝製程時間及降低EMI特性，進而減少套用系統設計時程及擴大設計自由度。
LTPS-TFT LCD最高技術是做到System on Panel，第1代LTPS-TFT LCD利用內建驅動電路和高性能畫素電晶體而達到高解析度和高亮度效果，已使得LTPS-TFT LCD和a-Si產生極大差別。
第2代LTPS-TFT LCD透過電路技術之進步，由模擬式接口進入數字式接口，降低耗電。此代LTPS-TFT LCD載子遷移率是a-Si TFT 100倍，電極圖案線寬是4μm左右，尚未充分活用LTPS-TFT LCD特性。
第3代LTPS-TFT LCD在周邊大規模積體電路(LSI)整合比第2代更完備，其目的是：(1)沒有周邊零件可使模組更輕薄，也可以減少零件數量和組裝工時；(2)簡化信號處理可降低電力消耗；(3)搭載記憶體可讓消耗電力降至最低。
由於LTPS-TFT LCD液晶顯示器具有高解析度、高色彩飽和度、成本低廉的優勢，被寄予厚望成為新一波的顯示器。藉由其高電路整合特性與低成本的優勢，在中小尺寸顯示面板的套用上有著絕對的優勢。
但是p-SiTFT存在兩個問題，一是TFT的關態電流(即漏電流)較大(Ioff=nuVdW/L)；二是高遷移率p-Si材料低溫大面積製備較困難，工藝上存在一定的難度。
它是由TFTLCD衍生的新一代的技術產品。LTPS螢幕是通過對傳統非晶矽（a-Si）TFT-LCD面板增加雷射處理製程來製造的，元件數量可減少40%，而連線部分更可減少95%，極大的減少了產品出現故障的幾率。這種螢幕在能耗及耐用性方面都有極大改善，水平和垂直可視角度都可達到170度，顯示回響時間達12ms，顯示亮度達到500尼特，對比度可達500：1。
低溫p-Si驅動器的集成方式主要有三種：
一是掃描和數據開關的混合集成方式，即行電路集成在一起，開關及移位暫存器集成在列電路內，多路定址驅動器和放大器等用繼承電路外接在平板顯示屏上；
二是所有驅動電路全集成在顯示屏上；
三是驅動和控制電路均集成在顯示屏上。
