LDD結構
LDD結構即是在溝道中靠近漏極的附近設定一個低摻雜的漏區,讓該低摻雜的漏區也承受部分電壓,這種結構可防止熱電子退化效應。
實際上,現在這種結構已經成為了大規模積體電路中MOSFET的基本結構。
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