FUT隱痕植髮技術

FUT隱痕植髮技術

FUT隱痕植髮技術，從後枕部取出一塊皮瓣，在高倍顯微鏡下進行分離，再放入恆溫箱的營養皿中培植，然後種植在脫髮區。FUT隱痕植髮技術，採用高倍顯微鏡分離毛囊，它可以提高20%至30%的毛囊利用率，大大節約了寶貴的毛囊資源。FUT隱痕植髮技術的最大優點，就是適合於脫髮面積較大的手術，它一次最多可取3500單位以上的毛囊，並且術後效果理想。FUT隱痕植髮手術成功率100%，毛囊成活率98%。
在毛囊分離過程中非常精細，可以增加切割後的毛胚的絕對數量，使移植後的頭髮密度增加25%。FUT隱痕植髮技術與傳統的植髮有明顯區別。除去毫髮無損的保留“毛胚”和最大化種植外，FUT隱痕植髮技術的主要優勢是占用最小的移植接受面積。毛胚”可以被插入針孔大小的接受區域，幾天后痊癒並沒有任何疤痕。其次，我們採用毛囊培植液大大增加毛囊的活性，增加毛囊成活率。