BOSCH法是一種採用Deep RIE的深蝕刻法，反覆使用鈍化和蝕刻方式，在保護側面的條件下形成深寬比大的溝槽。
德國博世公司（BOSCH）開發的交替流過SF6和C4F8氣體的深蝕刻方法在MEMS中得以廣泛使用（圖1）。在C4F8流過的鈍化方式下，因等離子聚合作用使類似特氟綸的物質堆積，為側壁塗上保護膜。而在SF6流過的蝕刻方式下，保護膜會消除而露出Si，並以F基團對Si進行蝕刻。在側面保護膜消失殆盡之前又堆積一層保護膜…，反復交替進行這一過程。
該方法具有通過改變交替流過SF6和C4F8時的參數，可進行各種處理的優點。
比如，因蝕刻速率可以放慢，所以對掩模寬窄均欲以相同速度蝕刻（微負載效應措施）；因可犧牲蝕刻速率，希望儘速蝕刻以形成大深寬比溝槽等，可滿足諸如此類的各種要求。
電裝在研究最大能形成多大深寬比的溝槽（圖2）。通過氧等離子碰撞，製成了深寬比達60左右的溝槽。
BOSCH法
BOSCH法