74ls164

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74ls164、74lsT164是高速矽門CMOS器件,與低功耗肖特基型TTL(LSTTL)器件的引腳兼容。 74HC164、74HCT164是8位邊沿觸髮式移位暫存器,串列輸入數據,然後並行輸出。數據通過兩個輸入端(DSA或DSB)之一串列輸入;任一輸入端可以用作高電平使能端,控制另一輸入端的數據輸入。兩個輸入端或者連線在一起,或者把不用的輸入端接高電平,一定不要懸空。

功能作用

8 位串入,並出移位暫存器

概述

時鐘 (CP) 每次由低變高時,數據右移一位,輸入到 Q0, Q0 是兩個數據輸入端(DSA和 DSB)的邏輯與,它將上升時鐘沿之前保持一個建立時間的長度。

主復位 (MR) 輸入端上的一個低電平將使其它所有輸入端都無效,非同步地清除暫存器,強制所有的輸出為低電平。

功能圖

74ls164 74ls164

圖 1. 邏輯符號

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圖 2. IEC 邏輯符號

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圖 3. 邏輯圖

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圖 4. 功能圖

特性

門控串列數據輸入;

異步中央復位符合 JEDEC 標準 no. 7A;

靜電放電 (ESD) 保護;

HBM EIA/JESD22-A114-B 超過 2000 V;

MM EIA/JESD22-A115-A 超過 200 V;

多種封裝形式;

額定從 -40 °C 至 +85 °C 和 -40 °C 至 +125 °C 。。

引腳信息

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圖 5. DIP14、SO14、SSOP14 和 TSSOP14 封裝的引腳配置

引腳說明

符號 引腳 說明
DSA 1 數據輸入
DSB 2 數據輸入
Q0~Q3 3~6 輸出
GND 7 地 (0 V)
CP 8 時鐘輸入(低電平到高電平邊沿觸發)
/M/R 9 中央復位輸入(低電平有效)
Q4~Q7 10~13 輸出
VCC 14 正電源

電氣特性

符號 參數 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
VI 輸入鉗位電壓 VCC = Min, II = -18 mA - - -1.5 V
VOH 輸出高電平電壓 VCC = Min, IOH = Max VIL = Max, VIH = Min 2.7 3.4 - V
VOL 輸出低電平電壓 VCC = Min, IOL = Max VIL = Max, VIH = Min - 0.35 0.5 V
IOL = 4 mA, VCC = Min - 0.25 0.4
II 最大輸入電壓時輸入電流 VCC = Max, VI = 7V - - 0.1 mA
IIH 輸入高電平電流 VCC = Max, VI = 2.7V - - 20 μA
IIL 輸入低電平電流 VCC = Max, VI = 0.4V - - -0.4 mA
IOS 輸出短路電流 VCC = Max (Note 4) -20 - -100 mA
ICC 電源電流 VCC = Max (Note 5) - 16 27 mA

動態特性(TA=25℃)

符號 參數 To (Output) RL = 2kΩ 單位
CL = 15 pF CL = 50 pF
最小值 最大值 最小值 最大值
fMAX 最大時鐘頻率 - 25 - - - MHz
tPLH 低到高電平輸出傳遞延遲時間 時鐘輸出 - 27 - 30 ns
tPHL 高到低電平輸出傳遞延遲時間 時鐘輸出 - 32 - 40 ns
tPHL 傳遞延遲時間 時鐘輸出 - 36 - 45 ns

功能表

工作模式 輸入 輸出備註
/M/R CP DSA DSB Q0 Q1 至Q7
LLXXLL 至 L復位(清除)
HllLq1至q7移位
H l h L q1至q7
H h l L q1至q7
H h H H q1至q7

H = HIGH(高)電平

h = 先於低-至-高時鐘躍變一個建立時間 (set-up time) 的 HIGH(高)電平

L = LOW(低)電平

l = 先於低-至-高時鐘躍變一個建立時間 (set-up time) 的 LOW(低)電平

q = 小寫字母代表先於低-至-高時鐘躍變一個建立時間的參考輸入 (referenced input) 的狀態

↑ = 低-至-高時鐘躍變

工作條件

符號 參數 最小值 典型值 最大值 單位
VCC 電源電壓 4.75 5 5.25 V
VIH 輸入高電平電壓ViH 2 - - V
VIL 輸入低電平電壓ViL - - 0.8 V
IOH 輸出高電平電流IOH - - -0.4 mA
IOL 輸出低電平電流IOL - - 8 mA
fCLK 時鐘頻率fCP 0 - 25 MHz
tW 脈衝寬度 時鐘 20 - ns
清除 20 - -
tSU 數據設定時間 17 - - ns
tH 數據保持時間 5 - - ns
tREL 建立時間 30 - - ns
TA 工作溫度 0 - 70

[1] 對於 DIP14 封裝:Ptot 在超過 70 °C 時以 12 mW/K 的速度線性降低。

[2] 對於 SO14 封裝:Ptot 在超過 70 °C 時以 8 mW/K 的速度線性降低。

[3] 對於 SSOP14 和 TSSOP14 封裝:Ptot 在超過 60 °C 時以 5.5 mW/K 的速度線性降低。

[4] 對於 DHVQFN14 封裝:Ptot 在超過 60 °C 時以 4.5 mW/K 的速度線性降低。

時序圖

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