固態硬碟的數據傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬碟用來容納存儲晶片的空間較為有限，容量越高的晶片可以增加硬碟的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬碟的售價。
對於這個問題，英特爾可能已經在3D NAND當中找到了解決辦法。3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業所研發的一種技術，它的概念其實非常簡單：不同於將存儲晶片放置在單面，英特爾和鎂光研究出了一種將它們堆疊最高32層的方法。這樣一來，單個MLC快閃記憶體晶片上可以增加最高32GB的存儲空間，而單個TLC快閃記憶體晶片可增加48GB。
3D NAND快閃記憶體是一種新興的快閃記憶體類型，通過把記憶體顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND快閃記憶體帶來的限制。
平面結構的NAND快閃記憶體已接近其實際擴展極限，給半導體存儲器行業帶來嚴峻挑戰。新的3D NAND技術，垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度。基於該技術，可打造出存儲容量比同類NAND技術高達三倍的存儲設備。該技術可支持在更小的空間內容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業部署的需求。
