電荷傳輸

2015年四月，芬蘭阿爾托大學和德國馬爾堡大學合作研究，電荷運動通過半導體材料介面。這研究組注意到一種電荷傳輸的現象：由一個電子和一個正電荷組成的對，移到介面後，又達到介面的另一邊。這可能打開電子學中的邏輯操作途徑。

隧道效應是電子可通過薄的材料介面，這從經典力學的角度來看，應該是不可能的，這就是量子力學的隧道效應。但新發現的現象不同於隧道效應；通過介面的是由一個電子和一個正電荷組成的對，稱為激子。這在現代物理學中，無任何相應的現象與它相當。

這個新現象和半導體及太赫茲（Terahertz)技術結合，在微電子學中可允許一種新的邏輯操作。研究組相信，在這現象的基礎上，可設計新的，部分通過光，部份通過電操作的過程。

參考文獻：

Unique observation in semiconductors: new charge transport phenomenon " www.sciencedaily.com/releases/2015/04/159402081800.htm