（1）對於雙極型電晶體，隨著頻率f 的提高, 功率增益Gp將要下降；最高振盪頻率fm就是Gp下降到1 (即輸出功率=輸入功率) 時的工作頻率，它代表了電晶體具有放大能力的極限。根據高頻等效電路可以求出：fm = [ fT / (8π rb Cjc)1/2 ] ，在頻率很高時，需要考慮發射極引線電感L的影響，則可求得: fm = { fT / [8π(rb+π fT L)Cjc] }1/2。在 f > fT 時有f Gp1/2 = fm，或Gp = ( fm / f )2，故也稱fm為功率增益-頻寬乘積。一般有關係：
fm > fα > fT > fβ 。
（2）對於JFET，最高振盪頻率fm是輸入和輸出均共軛匹配、共源增益為1時的頻率, 即最大單向功率增益=1時的振盪頻率。根據獲得最大單向功率增益的條件（反饋電容Cgd=0，輸出端共軛匹配[負載RL=1/gd ]），可給出輸入信號功率=│ig│2rgs ≈(Vgs2/ 4ω2 Cgs2) Rgs，輸出信號功率=│ig│2 RL ≈ gmmax2 Vgs2 (1/gd)，則單向功率增益為Kp = (1/4) (gm max2 / ω2 Cgs2 ) (1/ Rgs gd ) ；由 Kp =1 即得到：
fm = ( gm max / 2πCgs ) ( 4 Rgs gd)-1/2 = fT (4 Rgs gd)-1/2 ；從而有 Kp = ( fm / f )2 。考慮到串聯電阻的影響，一般可有 fm = fT / [ 2 (r’+fT τ’)1/2 ] ,
其中 r’ = (Rg + Rgs + Rs ) / Rds , τ’ = 2π Rg Cgd . 提高fm的措施即在於增大fT和減小寄生電阻和反饋電容。
