電子俘獲

電子俘獲是一般分成兩類。一類是原子或離子通過媒質時獲得電子的機制。這是原子和離子在媒質中損失動能並減速的重要原因，從而影響入射的原子和離子在媒質中的射程。另一類是電子被原子核俘獲，稱為電子的核俘獲或K俘獲。

電子俘獲

正文

β衰變-內部結構模型表 上表註解:
強子(夸克)與輕子的大統一：
一.v中微子與u上夸克互為轉換,e-電子與d下夸克互為轉換。
v-反中微子與u-反上夸克互為轉換,e+正電子與d-反下夸克互為轉換。
e-電子(上表1號)加v-反微中子(上表2號),合成W-弱玻色子-易衰變逃逸
《W-弱玻色子-衰變逃逸,即中子衰變為質子(β-衰變);W-弱玻色子-疊加壓回,即質子衰變回中子(β+衰變,即電子俘獲,能
量需大於1.022MeV)》
(見上表n中子第一族1號及2號夸克)

一般分成兩類。一類是原子或離子通過媒質時獲得電子的機制。這是原子和離子在媒質中損失動能並減速的重要原因，從而影響入射的原子和離子在媒質中的射程。當入射的帶電粒子的速度和媒質中電子的速度具有相同量級時，發生電子俘獲的幾率較大，因此在粒子射程的末端，電子俘獲的發生較為頻繁。對於帶有大量正電荷的裂變碎片，則在它整個減速過程中都有電子俘獲發生。中性的氫原子通過輕元素組成的媒質時，單位距離路程的能量損失約為質子在同樣情形下能量損失的一半。
另一類是電子被原子核俘獲，稱為電子的核俘獲或K俘獲。K俘獲是原子核從最靠近它的 K電子殼層俘獲一個電子而轉變為核電荷數比原來的值小 1的新核的機制，此過程中,核還要發射一個中微子。K俘獲是β衰變的逆過程。發生K俘獲的幾率與K殼層電子處於核附近的壽命有關，核電荷數Z值較大的核,電子波函式在核中心區的值也較大，因而發生K俘獲的幾率也比輕核大。K俘獲是電子的場與核場間相互作用的結果。
還可能發生一種二階過程，即原子K殼層的s電子被核俘獲的同時,伴隨著L殼層一個p電子躍遷到K殼層而產生γ躍遷。

配圖

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