量子自旋器件簡介
量子除了具有電荷的屬性外，還具有內稟自旋角動量，在外磁場中，不僅受洛侖茲力的作用，還通過內稟磁矩和外場發生耦合。將自旋屬性引入半導體器件中，用量子電荷和自旋共同作為信息的載體，將會發展出新一代的器件，稱為量子自旋器件。這種新的器件利用自旋相關的效應（載流子的自旋和材料的磁學性質相互作用），同時結合標準的半導體技術，將具有非揮發、低功耗、高速和高集成度的優點。
自旋量子器件的發展和套用
由於自旋量子器件比傳統量子器件具有諸多優點，所以，自Baibich等人報導巨磁阻效應後，國際上就開始了自旋量子器件的研製。自旋量子器件主要是基於鐵磁金屬，已研製成功的自旋量子器件包括巨磁電阻、自旋閥和磁隧道結和磁性隨機存取存儲器。
對於普通金屬和半導體，自旋向上和自旋向下的量子在數量上是一樣的，所以傳統的金屬量子論往往忽略量子的自旋自由度。但是對於鐵磁金屬，情況則不同。在鐵磁金屬中，量子的能帶分成兩個子帶，自旋向上子帶和自旋向下子帶。這兩個子帶形狀幾乎相同，只在能量上有一個位移，這是由於鐵磁金屬中存在交換作用的結果。正是由於兩個子帶在能量上的差別，使得兩個子帶的占據情況並不相同。在費米面處，自旋向上和自旋向下的量子態密度也是不同的。這樣在鐵磁金屬中，參與輸運的兩種取向的量子在數量上是不等的，所以傳導電流也是自旋極化的。同時由於兩個子帶在費米面處的量子態密度不同，不同自旋取向的量子在鐵磁金屬中受到的散射也是不同的。因此在系統中，如果存在鐵磁金屬，兩種自旋取向的量子的輸運特性也有著顯著的差別。基於鐵磁金屬的自旋量子器件正是利用上述的量子特性設計而成的。
器件類型
巨磁電阻
早在1857年W. Thomson（開爾文勳爵）就在鐵和鎳中發現了磁電阻效應，即在磁場作用下，鐵磁性金屬內部量子自旋方向發生改變而導致電阻改變的現象。由於磁化方向的導電電阻升高而垂直方向的電阻降低，故稱之為各向異性磁電阻（AnisotropicMaganetoresistance，AMR）。1998年，Fe/Cr金屬多層膜在外磁場中電阻變化率高達50%的巨磁電阻效應（GMR）被發現，各國科學家開始從理論和實驗上對多層膜GMR效應展開了廣泛而深人的研究。GMR產生機製取決於非鐵磁層兩邊的鐵磁層中量子的磁化方向，用於隔離鐵磁層的非鐵磁層，只有幾個納米厚，甚至不到一個納米。當這個隔離層的厚度是一定的數值時，鐵磁層的磁矩自發地呈現反平行;而加到材料的外磁場足夠大時，鐵磁材料磁矩的方向變為相互平行。量子通過與量子平均自由程相當厚度的納米鐵磁薄膜時，自旋磁矩的取向與薄膜磁化方向一致的量子較易通過，自旋磁矩的取向與薄膜磁化方向不一致的量子難以通過。因此，當鐵磁層的磁矩相互平行時，載流子與自旋有關的散射最小，材料有最小的電阻。當鐵磁層的磁矩為反平行時，與自旋有關的散射最強，材料的電阻最大，從而使磁電阻發生很大變化。
自旋閥
對於反鐵磁耦合的多層膜，需要很高的外磁場才能觀察到GMR效應，故並不適用於器件套用。在GMR效應基
自旋閥疊層結構示意圖
礎上，人們設計出了自旋閥，使相鄰鐵磁層的磁矩不存在（或只存在很小的）交換耦合。自旋閥的核心結構是兩邊為鐵磁層，中間為較厚的非鐵磁層構成的GMR多層膜。其中，一邊的鐵磁層矯頑力大，磁矩固定不變，稱為被釘扎層；而另外一層鐵磁層的磁矩對小的外加磁場即可回響，為自由層。由於被釘扎層的磁矩與自由層的磁矩之間的夾角發生變化導致GMR的電阻值改變。如此，在較低的外磁場下相鄰鐵磁層磁矩能夠在平行與反平行排列之間變換，從而引起磁電阻的變化。自旋閥結構的出現使得巨磁電阻效應的套用很快變為現實。最常用的“頂部釘扎自旋閥"（top spin-valve）的具體結構如圖所示。
其中，緩衝層可使鍍膜有較佳的晶體成長方向，也稱之為種子層。自由層由易磁化的軟磁材料所構成。中間夾層為非鐵磁性材料，目的為了無外加磁場時，讓上下兩鐵磁層無耦合作用。被釘扎層被固定磁化方向的鐵磁性材料。釘扎層用於固定“被釘扎層”磁化方向的反鐵磁性材料。
